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王林
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49
被引量:9
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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合作作者
陈效双
中国科学院上海技术物理研究所
陆卫
中国科学院上海技术物理研究所
郭万龙
中国科学院上海技术物理研究所
唐伟伟
中国科学院上海技术物理研究所
刘昌龙
中国科学院上海技术物理研究所
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王林
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一种石墨烯室温太赫兹波探测器及制备方法
本发明公开一种石墨烯室温太赫兹波探测器,所述探测器件包括蓝宝石衬底和其上蒸镀对数周期天线结构以及引线电极,且太赫兹波耦合对数周期天线两边分别与对应的引线电极相连,在对数周期天线间距中转移具有载流子浓度可调和高迁移率的石墨...
王林
刘昌龙
唐伟伟
陈效双
陆卫
文献传递
一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器
本专利公开了一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为:第一层是衬底、第二层是氧化层、第三层是硒化铂以及搭在硒化铂上的非对称的蝶形天线和天线两侧的金属电极。器件制备步骤是将机械剥离的硒化铂转移到氧化层上,...
王林
郭万龙
郭程
陈效双
陆卫
网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及制备方法
本发明公开了一种网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及其制备方法。器件制备步骤主要将单层石墨烯转移到硅/二氧化硅衬底上,然后通过标准的紫外光刻、电子束蒸发制备网格状天线,氧离子刻蚀工艺去除多余的石墨烯,最后利用引线键合工艺...
王林
姜梦杰
张凯旋
姚晨禹
陈效双
一种室温可调控的亚太赫兹波探测器及制备方法
本发明公开了一种室温可调控的亚太赫兹波探测器及制备方法,以具有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯场效应晶体管为基本结构单元,场效应晶体管具有一组亚太赫兹波耦合天线的源漏电极和劈裂栅极。所述探测器在蓝宝石衬底上集成对数周期天...
王林
刘昌龙
唐伟伟
郭万龙
陈效双
陆卫
文献传递
AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究
被引量:2
2010年
考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.
王林
胡伟达
陈效双
陆卫
关键词:
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
一种四叶草形天线的石墨烯光电探测器及制备方法
本发明公开了一种四叶草形天线的石墨烯光电探测器及制备方法。器件制备步骤是将化学气相沉积生长的石墨烯转移到有SiO<Sub>2</Sub>氧化层的Si衬底上,利用紫外光刻技术制作源、漏和顶栅电极,并利用氧刻、原子层沉积、湿...
王林
侯时聪
郭万龙
陈效双
陆卫
文献传递
室温周期对数天线集成的碲化镍太赫兹探测器及制备方法
本发明公开了一种室温周期对数天线集成的碲化镍太赫兹探测器及制备`方法。器件制备步骤是将机械剥离的碲化镍转移到本征高阻硅衬底上,利用紫外光刻技术制作源、漏电极,并利用电子束蒸发和超声引线等工艺,制备成具有周期对数天线结构的...
王林
张力波
沈家忠
邢怀中
陈效双
陆卫
文献传递
一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法,其结构依次为:蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层,AlGaN栅介质层,AlGaN栅介质层上形成...
陈效双
姚路驰
王林
胡伟达
陆卫
文献传递
一种室温可调控的亚太赫兹波探测器件
本专利公开了一种室温可调控的亚太赫兹波探测器,以具有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯场效应晶体管为基本结构单元,场效应晶体管具有一组亚太赫兹波耦合天线的源漏电极和劈裂栅极。所述探测器在蓝宝石衬底上集成对数周期天线以及相应...
王林
刘昌龙
唐伟伟
郭万龙
陈效双
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一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器及制备方法
本发明公开了一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、硒化铋薄膜、对数天线和金属源漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的具有丰富表面态硒化铋薄膜转移到衬底上,运用紫外光刻或电子束光刻的...
王林
唐伟伟
刘昌龙
郭万龙
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