王绘凝
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金山东省科技发展计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- InGaN多量子阱中载流子的传输和复合发光机制被引量：2
- 2013年
- 利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了多量子阱结构的InGaN/GaN薄膜,并对其光致发光(PL)特性进行了研究。结果显示该样品的PL谱中有两个主要发光成分,这两个发光成分被认为是分别来自InGaN阱层中的两个分离的相:低In的InGaN母体和富In的量子点,并且它们的积分强度强烈地依赖测试温度和激发功率。这个行为被解释为GaN和InN之间较低的互溶隙导致了InGaN阱层的相分离,并且在这两个相之间存在着光生载流子的传输过程。
- 王梦琦栾梦恺孙虎王绘凝冀子武
- 关键词：光致发光量子点
- 关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究被引量：2
- 2014年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性,并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%,这样,其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定.
- 王雪松冀子武王绘凝徐明升徐现刚吕元杰冯志红
- 关键词：INGAN/GAN发光效率内量子效率
- InGaN/GaN多量子阱的结构及其光学特性的研究
- 近年来，随着科学技术的不断进步，在半导体材料方面取得的成果也越来越明显，特别是AlN，GaN，InN及其合金化合物等Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料，更是得到了快速的发展。其中，GaN材料作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表，由于...
- 王绘凝
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱斯塔克效应量子效率
