田卫
- 作品数：6 被引量：61H指数：4
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学更多>>
- 纳米Al_2O_3对纳米ZrO_2(4Y)常压烧结致密特性及电性能影响被引量：4
- 2000年
- 采用纳米ZrO2 ( 4Y)粉和纳米Al2 O3粉为原料 ,对掺少量Al2 O3的ZrO2 ( 4Y)陶瓷进行无压烧结研究。实验结果表明 ,掺适量的Al2 O3可提高致密度 ,降低烧结温度。掺 1.0wt %纳米Al2 O3在 12 0 0℃煅烧 2小时的陶瓷致密度为 99.0 % ,烧结体晶粒长大略减缓。在纳米ZrO2 ( 4Y)中掺入少量的纳米Al2 O3可降低电导活化能 ,提高电导率。
- 袁望治劳令耳田卫刘毅王大志姚琨王正
- 关键词：纳米粉电导结构陶瓷
- 掺纳米Al_2O_3的纳米ZrO_2(4Y)固体电解质的电性能被引量：19
- 2002年
- 以纳米ZrO2 ( 4Y)粉和纳米Al2 O3 粉为原料 ,单轴成型 ,12 0 0 ,130 0℃无压烧结 .对掺不同质量分数 ( 0 .0～ 5 .0 % )Al2 O3 的ZrO2 ( 4Y)烧结体 ,用XRD ,SEM和TEM研究了相组成和微观结构 .在不同温度下 ( 30 0～ 10 0 0℃ )测试了交流阻抗谱 ,发现掺很少量的纳米Al2 O3 可降低ZrO2 ( 4Y)的晶粒电阻 .但随着Al2 O3 掺入量的增加 ,晶界电阻增大 ,晶粒电阻也有所回升 .晶粒和晶界电导活化能则随Al2 O3 掺入量的变化不大 .对 12 0 0℃ ,2h烧结样品 ,在 10 0 0℃时 ,掺 0 .5 %Al2 O3 的ZrO2 ( 4Y)样品有最大电导率 ,为 3.8× 10 - 2 Ω- 1 ·cm-
- 劳令耳袁望治田卫刘毅王大志姚琨
- 关键词：纳米粉电导固体电解质电性能
- 纳米Al_2O_3对纳米4YSZ复相陶瓷结构和性能的影响被引量：1
- 2001年
- 以纳米 4YSZ和纳米Al2 O3 粉末为原料 ,对掺少量Al2 O3 的 4YSZ无压烧结体的烧结特性、结构和性能进行了研究。掺适量的Al2 O3 可降低烧结温度 ,减缓 4YSZ晶粒的长大。少量的交接渗透强化了晶界 ,烧结体断裂倾向于穿晶断裂 。
- 袁望治劳令耳田卫黄英才王大志姚琨
- 关键词：微观结构纳米复相陶瓷AL2O3
- 纳米ZrO_2(4Y)两次成型常压烧结致密特性及其电导率被引量：22
- 2000年
- 用纳米 Zr O2 (4 Y)粉为原料 ,研究了单轴压片素坯成型特征。通过两次施压成型 ,降低了烧结致密温度 ,在 1 3 0 0℃常压烧结 2小时 ,陶瓷体致密度达 99.1 % ,烧结体晶粒长大减缓。片状烧结体 1 0 0 0℃和 80 0℃时的电导率分别为 4 .2 3× 1 0 -2 Ω-1cm-1和 1 .1 9× 1 0 -2 Ω-1cm-1。
- 袁望治劳令耳田卫刘毅王大志姚琨王正
- 关键词：纳米粉纳米陶瓷材料电导率
- 素坯高压成型对纳米4YSZ烧结的影响被引量：7
- 2003年
- 在纳米 4YSZ粉中加入少量纳米Al2 O3 粉 ,素坯两次 40 0MPa加压成型后在 4GPa高压下再成型 ,素坯相对密度达 72 4 %,降低了烧结致密温度。超密实坯体在 110 0℃常压下烧结 2小时 ,陶瓷体致密度达 99 2 %。烧结样品的晶胞四方度atc- 1t 为 1 0 12 ,晶胞体积V为 0 132nm3 。 110 0℃常压煅烧 ,烧结体晶粒大小在 40～ 70nm。烧结体研磨成粉后含有 12～ 14%的单斜相。
- 袁望治劳令耳郭捷田卫刘毅王大志
- 关键词：微观结构功能陶瓷
- 纳米ZrO_2(4Y)的快速高压烧结研究被引量：17
- 2001年
- 纳米Y2 O3 稳定的ZrO2 粉在 4GPa高压下、10 0 0～ 12 0 0℃烧结 2min致密成型。完整块体致密度为 99.3%。在高压烧结过程中 ,由于外加压力对扩散的促进作用 ,活化能比用其它方法烧结时降低 ,约为 4 8kJ/mol,晶粒长至 4 0～ 70nm。四方度及晶胞体积略小于常压烧结样品的数值。高压快速烧结ZrO2 (4Y)陶瓷为棕色、深灰色或黑色。快速高压烧结所得样品结构存在某种非均匀性。
- 袁望治田卫郭捷劳令耳王大志姚琨
- 关键词：显微结构氧化锆多晶陶瓷纳米材料
