纪红萱
- 作品数：15 被引量：46H指数：5
- 供职机构：西南民族大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：四川省教育厅资助科研项目四川省教育厅科学研究项目贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究被引量：14
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及Co,Cu共掺杂ZnO薄膜.用金相显微镜观察了Co与Cu掺杂对ZnO薄膜形貌的影响.X射线衍射(XRD)研究揭示所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,在Cu单掺的ZnO薄膜中晶粒尺寸最大.对所有样品的室温光致发光测量都观察到较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.对不同掺杂源的ZnO薄膜发光性能进行了分析,认为蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位能级的跃迁及锌填隙到价带顶的跃迁,绿光峰是由于掺杂造成的氧错位缺陷能级所致.
- 吴定才胡志刚段满益徐禄祥刘方舒董成军吴艳南纪红萱徐明
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶COCU掺杂光致发光
- Cu掺杂ZnO薄膜的结构及发光特性被引量：5
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对ZnO薄膜形貌和微结构的影响。结果表明,制备得到的ZnO薄膜具有应变小和c轴择优取向。室温下测量了样品Zn1-xCuxO的光致发光(PL)谱,发现所有样品的PL谱中均观察到435nm左右的蓝光发光带,发光带强度与Cu的掺杂量有关;当x=0.06时,Zn1-xCuxO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光发射。分析了掺杂量对发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁,它们可通过改变Cu的掺杂量予以控制。
- 蒋敏吴定才魏琴刘方舒吴艳南张佩佩纪红萱徐明
- 关键词：溶胶-凝胶CU掺杂光致发光
- SiN_x和SiN_x/SiO_x薄膜的荧光和红外吸收光谱研究
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)和含有SiOx缓冲层的Si(100)上制备SiNx薄膜。直接生长在Si(100)的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高温热处理后有非常强的光致发光,当退火温度为800oC时发光强度达到最高。傅立叶红外吸收研究表明,直接生长在Si(100)的SiNx薄膜在退火后氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高,但过高温度的退火会导致Si-N键显著减少。分析认为SiNx/SiOx薄膜的发光与Si-N键和Si-O键密切相关。
- 纪红萱陈卫东徐明
- 关键词：SINXSIOX红外吸收
- Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。
- 陈青云段满益周海平董成军魏屹纪红萱黄劲松陈卫东徐明
- 关键词：红外吸收光致发光
- 一种Al<Sub>X</Sub>In<Sub>1-X</Sub>N薄膜的制备方法
- 一种Al<Sub>x</Sub>In<Sub>1－x</Sub>N薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲...
- 徐明董成军纪红萱陈青云魏屹
- 文献传递
- 多温段同时退火的真空退火装置
- 一种多温段同时退火的真空退火装置，包括真空箱体、加热炉、温度传感器、集热罩、集热罩支架、薄膜托盘、托盘支撑杆和托盘调节机构；托盘调节机构包括支座、支撑架、主调节螺杆、调节架、辅调节螺杆、连接板和托盘调节杆。加热炉放置在真...
- 徐明纪红萱董成军
- 文献传递
- Co，Sn共掺ZnO薄膜结构与光致发光的研究被引量：8
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Sn掺杂ZnO系列薄膜.通过金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Co与Sn掺杂对薄膜的表面形貌和微结构的影响.XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,特别Sn单掺ZnO薄膜的c轴择优取向最为显著,而且晶粒尺寸最大.XPS测试表明样品中Co和Sn的价态分别为2+和4+,证实Co2+,Sn4+进入了ZnO的晶格.室温光致发光谱(PL)显示在所有的样品中都有较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,而在纯ZnO及Co掺杂ZnO薄膜样品中还观察到了较强的紫外发光峰.此外,通过Co,Sn掺杂的控制能够调整薄膜的禁带宽度,进而使得蓝光发光峰发生了位移;同时,掺杂还将影响薄膜中氧位错、锌空位和锌填隙缺陷,因此控制掺杂浓度可以调控薄膜的发光特性.最后,还探讨了不同波段光发射的可能机理.
- 吴艳南徐明吴定才董成军张佩佩纪红萱何林
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶光致发光
- 自旋电子学简介及其研究进展被引量：2
- 2006年
- 自旋电子学主要研究电子自旋在固体物理中的作用,是一门结合磁学与微电子学的交叉学科,其研究对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应用等.基于电子自旋的自旋电子器件能够大大提高信息处理速度和存储密度,而且具有非易失性、低能耗等优点.简单介绍了自旋电子学的概念及其研究内容,综述了自旋电子学目前的研究及应用进展.
- 徐明纪红萱
- 关键词：自旋电子学自旋阀磁隧道结半导体自旋电子学
- 一种Al<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub>N薄膜的制备方法
- 一种Al<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub>N薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲...
- 徐明董成军纪红萱陈青云魏屹
- 文献传递
- 多温段同时退火的真空退火装置
- 一种多温段同时退火的真空退火装置，包括真空箱体、加热炉、温度传感器、集热罩、集热罩支架、薄膜托盘、托盘支撑杆和托盘调节机构；托盘调节机构包括支座、支撑架、主调节螺杆、调节架、辅调节螺杆、连接板和托盘调节杆。加热炉放置在真...
- 徐明纪红萱董成军
- 文献传递
