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经晶

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇电学性能
  • 1篇PLD
  • 1篇YSZ薄膜
  • 1篇BST
  • 1篇表面形貌

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇经晶
  • 2篇李言荣
  • 2篇罗文博
  • 2篇朱俊
  • 1篇李扬权
  • 1篇李理
  • 1篇张鹰
  • 1篇周文

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaN衬底上复合缓冲层诱导BST类钙钛矿结构氧化物薄膜外延生长的研究
以 BST为代表的钙钛矿结构(ABO3)的多元氧化物是当今最热门的电子材料之一。作为微波及射频电路中无源器件的关键材料,它集铁电、介电等多种功能性能与一身。将这种功能材料与以GaN为代表的第三代半导体材料通过固态薄膜的形...
经晶
文献传递
脉冲激光沉积法制备Pt薄膜的研究
2009年
采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°。原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm。四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1.962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求。
李理朱俊李扬权经晶周文罗文博李言荣
关键词:电学性能表面形貌蓝宝石衬底
脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备a轴取向YSZ薄膜被引量:1
2010年
采用脉冲激光沉积方法,通过金红石相TiO2(200)纳米诱导层在蓝宝石衬底上生长了(200)取向的萤石相钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长过程进行原位监测;用XRD分析进行后位的薄膜结构表征;使用原子力显微镜来观测薄膜的形貌及晶粒大小。结果表明,我们成功地在蓝宝石衬底上外延了具有三重旋转织构的a轴取向萤石相YSZ薄膜,其外延关系为YSZ(200)∥TiO2(200)∥Al2O3(0001);YSZ[010]∥TiO2[001]∥Al2O3[11-20]。
经晶朱俊罗文博张鹰李言荣
关键词:YSZ薄膜脉冲激光沉积
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