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罗海林

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学理学院加速器实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级缺陷
  • 1篇能级
  • 1篇离子注入
  • 1篇发光
  • 1篇GAN材料
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇罗海林
  • 1篇王琼

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN材料中离子注入的研究进展
1999年
综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。
罗海林王琼雷圆圆范湘军
关键词：离子注入发光掺杂深能级缺陷氮化镓
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共1页<1>
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