蔡旭浦
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响被引量：1
- 2012年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。
- 张仕凯张宝林史志锋王辉夏晓川伍斌蔡旭浦高榕董鑫杜国同
- 关键词：射频磁控溅射退火温度
- InN以及高In组分InAIN材料的制备及相关器件的研究
- 近二十年来，伴随着光电和通信技术的发展，氮化物半导体材料越来越受到人们的重视，目前基于GaN的照明技术已经相当成熟并实现了商业化，而InN材料却只是在近几年里才受到关注。InN具有很多优良特性，包括极低的电子有效质量、高...
- 蔡旭浦
- 关键词：分子束外延氮化铟电致发光
- 文献传递
- 光辅助MOCVD法制备高质量ZNO薄膜
- 采用光辅助金属有机化合物气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上制备ZNO薄膜.实验结果表明光辅助的引入对ZNO薄膜的特性具有很大的影响.SEM 测试结果表明,光辅助的引入使得ZNO从三维的纳米柱形式转变成二维的致密薄膜形式.同时...
- 史志锋伍斌张金香蔡旭浦王辉董鑫张源涛张宝林杜国同
- 关键词：ZNO光辐照
- 文献传递网络资源链接
- MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能被引量：2
- 2012年
- 采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
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- 关键词：电致发光
- In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响
- 2014年
- 在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。
- 蔡旭浦李万程高福斌景强吴国光张宝林杜国同
- 关键词：INNSI分子束外延
- 基于光机扫描的点阵式红外非成像温度测量系统的研制
- 2011年
- 本文介绍了一种通过光机扫描来实现点阵式红外测温的方法,可以替代价格昂贵的点阵式热成像仪。选用适当的非接触式红外温度传感器,通过扫描设备对一片视场逐点测温,测得的各点温度经过坐标校正即可合成一幅温度分布图像。这种立体温度测量方法可以用于火警检测,防盗等多个领域。
- 蔡旭浦马均章赵英鹤汪彦龙
- 关键词：红外测温电机控制
- MOCVD生长中引入光辐照对ZNO纳米柱尺寸的影响
- 采用原位光辐照的MOCVD方法在C面蓝宝石衬底上制备ZNO薄膜.SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZNO纳米柱的横向尺寸变大.从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光的辐照引入的热效应使衬底进一步升温,缓解晶...
- 伍斌史志锋蔡旭浦张金香王辉董鑫张源涛张宝林杜国同
- 关键词：MOCVD光辐照晶格失配
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