虞佳乐
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 聚合物薄膜晶体管的制备及性能被引量：1
- 2009年
- 以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管。器件的制备和测试都是在空气环境中完成。该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管饱和特性,器件的载流子迁移率为5.0×10-5cm2/(V.s),开关电流比大于2×103。通过在氮气氛下对聚合物薄膜进行退火处理以及聚合物薄膜沉膜前对二氧化硅表面修饰可以适当地提高器件的载流子迁移率。
- 刘玉荣吴丽明虞佳乐王智欣刘超李堂艳
- 关键词：迁移率退火处理
- 高迁移率聚合物薄膜晶体管被引量：6
- 2009年
- 以高掺杂Si单晶片作为栅电极,热生长SiO2作为栅介质层,聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层,Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性,在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管.结果表明,通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能,器件的场效应迁移率高达0.02cm2/(Vs),开关电流比大于105.
- 刘玉荣王智欣虞佳乐徐海红
- 关键词：场效应迁移率表面修饰
