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谢琦

作品数：13 被引量：7H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 6篇阻挡层
  • 6篇扩散阻挡层
  • 6篇互连
  • 4篇铜互连
  • 3篇电路
  • 3篇淀积
  • 3篇退火
  • 3篇微电子
  • 3篇金属
  • 3篇集成电路
  • 3篇铜
  • 2篇氧化镓
  • 2篇乙烷
  • 2篇乙烷脱氢
  • 2篇乙烯
  • 2篇溶剂
  • 2篇溶剂热
  • 2篇退火处理
  • 2篇气相淀积
  • 2篇籽晶

机构

  • 13篇复旦大学

作者

  • 13篇谢琦
  • 9篇屈新萍
  • 6篇茹国平
  • 5篇李炳宗
  • 4篇蒋玉龙
  • 2篇乐英红
  • 2篇于浩
  • 2篇张卫
  • 2篇谭晶晶
  • 2篇赵莹
  • 2篇华伟明
  • 2篇高滋
  • 1篇丁少锋
  • 1篇陈韬
  • 1篇周觅
  • 1篇蒋玉龙

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究
本文采用电镀方法制备具有一定孪晶密度的纯铜样品,并对不同的电镀参数和不同电镀衬底的实验结果进行了初步比较。发现不同的衬底结构对孪晶的产生和密度有很大影响。同时发现 W 基扩散阻挡层的电镀铜有很强的（111）择优晶向。
赵莹谢琦屈新萍
关键词：电镀孪晶
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一种形成铜接触互连结构的方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三...
赵莹屈新萍谢琦
文献传递
一种抑制铜互连结构中铜氧化的方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种在铜互连技术中当采用钌(Ru)黏附层时抑制铜氧化的方法。其主要方法就是利用在铜的黏附层或扩散阻挡层中掺入适量的碳(C)，从而来抑制在退火过程中Ru对Cu的增强氧化效应，或是集成电路工作...
丁少锋谢琦屈新萍
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用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢制乙烯的尖晶石催化剂及其制备方法
本发明属于化工催化剂技术领域，具体为一种用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢制乙烯的尖晶石催化剂及其制备方法。本发明催化剂为掺杂氧化镓的镁铝尖晶石，其通式为：MgGa<Sub><I>x</I></Sub>Al<Sub>2‑<I>x...
谢琦乐英红郭宏垚华伟明高滋
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一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜...
谢琦蒋玉龙屈新萍茹国平李炳宗
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金属铜与镍硅化合物的的叠层接触结构及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采...
蒋玉龙于浩谢琦茹国平屈新萍李炳宗张卫
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一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜...
谢琦蒋玉龙屈新萍茹国平李炳宗
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一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是...
蒋玉龙于浩谢琦茹国平屈新萍李炳宗张卫
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用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢制乙烯的尖晶石催化剂及其制备方法
本发明属于化工催化剂技术领域，具体为一种用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢制乙烯的尖晶石催化剂及其制备方法。本发明催化剂为掺杂氧化镓的镁铝尖晶石，其通式为：MgGa<Sub><I>x</I></Sub>Al<Sub>2‑<I>x...
谢琦乐英红郭宏垚华伟明高滋
超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层
2006年
研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.
谭晶晶周觅陈韬谢琦茹国平屈新萍
关键词：钌铜互连扩散阻挡层
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共2页<12>
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