贺利军
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 超晶格量子阱光学性质的研究
- 半导体超晶格和量子阱材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型的人造材料。这种材料的周期性是按人们的要求任意改变的,因此对其中运动的电子、空穴附加了人为的周期势。正是由于这一点,使得超晶格和量子阱材料具有许多不同于天然材料的...
- 贺利军
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格光致发光耦合模
- 文献传递
- GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量：1
- 2006年
- 在室温下测量了GaAs/A l0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波长λ=761 nm处存在一较强的发光光峰,此发光峰目前尚未见报道。经理论分析表明,此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光。实验还观测到在λ=786 nm处,λ=798 nm处和λ=824 nm处分别存在一发光峰,分析表明λ=786 nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光;λ=798 nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光;λ=824 nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光。理论计算与实验结果符合的很好。
- 贺利军程兴奎张健李华
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
- GaAs/AlGaAs超晶格微带带宽的计算被引量：4
- 2006年
- 利用MBE设备制备GaAs/Al GaAs超晶格材料,在低温(T=77K)下测量样品的光电流谱,从电子波动的观点出发,通过考虑电子波在超晶格阱层/势垒层的反射和干涉,讨论了超晶格的电子态.提出了一种计算超晶格微带带宽的方法,并计算了GaAs/Al GaAs超晶格的微带带宽.理论计算结果和实验结果符合得相当好.
- 贺利军程兴奎李华张健周均铭黄绮
- 关键词：超晶格电子态计算法
