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贺正宏

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇衬底
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇圆孔
  • 2篇熔点
  • 2篇溶质
  • 2篇透镜
  • 2篇透镜阵列
  • 2篇气量
  • 2篇迁移率
  • 2篇微透镜
  • 2篇微透镜阵列
  • 2篇晶体管
  • 2篇缓冲层
  • 2篇击穿电压
  • 2篇二维电子
  • 2篇反应物
  • 2篇盖层
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 1篇量子

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇牛智川
  • 7篇倪海桥
  • 7篇贺正宏
  • 4篇喻颖
  • 4篇李密峰
  • 4篇王莉娟
  • 3篇徐应强
  • 3篇徐晓华
  • 2篇尚向军
  • 2篇朱岩
  • 2篇査国伟
  • 2篇王海莉
  • 2篇贺继方
  • 2篇王建林
  • 1篇张纬
  • 1篇江德生
  • 1篇韩勤
  • 1篇吴荣汉

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2007
  • 2篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
高击穿电压的高电子迁移率晶体管
一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，...
徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林
文献传递
高击穿电压的高电子迁移率晶体管
一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，...
徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林
文献传递
制备微透镜阵列的方法
本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放...
査国伟喻颖李密峰王莉娟倪海桥贺正宏牛智川
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
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分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1
2005年
报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
徐晓华牛智川倪海桥徐应强张纬贺正宏韩勤吴荣汉江德生
关键词：分子束外延
制备微透镜阵列的方法
本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放...
査国伟喻颖李密峰王莉娟倪海桥贺正宏牛智川
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