连世阳
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射
- 1990年
- 研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果。从实验中求出x=0.71和x=0.61 两种样品的直接带隙E_0 分别为2.44 eV和2.31 eV。
- 连世阳杨锦赐
- 关键词：半导体GAALAS
- 全文增补中
- N型合金半导体的低温电子喇曼散射
- 1999年
- 研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射．根据晶格动力论，讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心的物理起因．结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中存在施主双稳态特性．在低温下，光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级，此浅施主态引起了间接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＜０．４５）的低温持续光电导．当温度升高时，该类氢能级的电子退回到稳定的ＤＸ中心的深能态．
- 连世阳
- 关键词：DX中心半导体N型
- 用喇曼光谱测定Ⅲ-Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度
- 1992年
- 用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。
- 杨锦赐连世阳张声豪颜永美
- 关键词：喇曼光谱半导体带隙载流子
- n-Ga_(1-x)Al_xAs的电子喇曼散射、束缚声子和DX中心
- 1997年
- 观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．
- 连世阳徐建骆万发
- 关键词：DX中心镓铝砷
- 用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质
- 1993年
- 用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm^2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10^(-9)的数量级。
- 连世阳杨锦赐陈张海廖远琰
- 关键词：半导体散射谱激光
- Ga_(1-x)Al_xAs晶体的共振喇曼散射和光学畸变势
- 1989年
- 为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于Ga_(1-x)A1_xAs的禁带宽度随组分x和温度的变化,测量了Ga_(1-x)A1_xAs晶体的一级和二级共振喇曼散射。用线性化丸盒轨道方法(LMTO方法)计算单声子光学畸变势d_0,从共振喇曼散射的测量得到双声子2LO_2和LO_1+LO_2的光学畸变势D_1。
- 杨锦赐王仁智连世阳
- 关键词：晶体喇曼散射
- 用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分
- 1989年
- 阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。
- 连世阳杨锦赐廖远琰
- 关键词：喇曼光谱
