邓俊静
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 一种制备LED器件出光结构的方法
- 本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对P...
- 孙永健于彤军张国义贾传宇田朋飞邓俊静
- 文献传递
- 采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
- 2008年
- 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。
- 齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 关键词：氮化镓外量子效率
- ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
- 采用不同条件的等离子体（O、Cl）对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、阴极荧光谱（CL）、光致发光光谱（PL）、电流电压（I-V）等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表...
- 邓俊静齐胜利陈志忠田朋飞郝茂盛张国义
- 关键词：感应耦合等离子体
- 文献传递
- 一种LED封装方法
- 本发明提供了一种LED封装方法，属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中，利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构，具体为：制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板；然后将AAO模板均匀铺在L...
- 于彤军邓俊静付星星康香宁陈志忠张国义
- 文献传递
- 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
- 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
- 齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 一种LED封装方法
- 本发明提供了一种LED封装方法，属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中，利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构，具体为：制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板；然后将AAO模板均匀铺在L...
- 于彤军邓俊静付星星康香宁陈志忠张国义
- 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
- 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
- 齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 文献传递
- ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
- 2008年
- 采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用。另外,样品经O2等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl2等离子体刻蚀后得到有效的去除。
- 邓俊静齐胜利陈志忠田朋飞郝茂盛张国义
- 关键词：感应耦合等离子体
- 一种制备LED器件出光结构的方法
- 本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对P...
- 孙永健于彤军张国义贾传宇田朋飞邓俊静
- GaN基垂直结构LED及其欧姆接触研究
- GaN基LED已经被广泛用于交通信号显示、大屏幕显示、液晶背光源、景观装饰及通用照明等领域。在实现固态照明方面，大功率垂直结构LED是理想的照明光源。通过键合和激光剥离技术可以将蓝宝石衬底上的GaN基LED转移到导电、导...
- 邓俊静
- 关键词：发光二极管键合激光剥离欧姆接触
