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邓新禄

作品数:15 被引量:117H指数:7
供职机构:大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金中国工程物理研究院科技基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 8篇等离子体
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 3篇甲烷
  • 3篇溅射
  • 3篇光谱
  • 3篇非平衡磁控溅...
  • 2篇等离子体密度
  • 2篇水平管
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石膜
  • 2篇降膜
  • 2篇降膜蒸发
  • 2篇过渡层
  • 2篇发射光谱
  • 2篇UMS
  • 2篇ECR
  • 2篇ECR等离子...
  • 2篇传热

机构

  • 15篇大连理工大学
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇大连大学
  • 1篇江苏大学

作者

  • 15篇邓新禄
  • 6篇徐军
  • 5篇董闯
  • 5篇刘天伟
  • 3篇张治国
  • 3篇张家良
  • 2篇宫为民
  • 2篇陈嘉宾
  • 2篇刘贵昌
  • 2篇朱晓波
  • 2篇马学虎
  • 2篇安家明
  • 2篇汲大鹏
  • 2篇王静
  • 1篇刘延伟
  • 1篇徐静
  • 1篇刘中凡
  • 1篇陈小锰
  • 1篇陈曦
  • 1篇代斌

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇真空科学与技...
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇中国科学(B...
  • 1篇水处理技术
  • 1篇核技术
  • 1篇Chines...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇热科学与技术
  • 1篇第八届全国基...

年份

  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铜上采用过渡层沉积类金刚石薄膜的研究被引量:4
2006年
将等离子增强非平衡磁控溅射物理气相沉积(PEUMS-PVD)和电子回旋共振-微波等离子体增强化学气相沉积(MW-ECRPECVD)技术相结合,通过制备不同的过渡层,在铜基上成功地制备了类金刚石膜.拉曼光谱分析表明,所制备的碳膜具有典型的类金刚石结构特征.检测结果表明,随着沉积偏压的增大,D峰和G峰均向高波数漂移,ID/IG值增大,表面粗糙度减小,而平均硬度和弹性模量呈先增大后减小的趋势.
王静刘贵昌汲大鹏徐军邓新禄
关键词:类金刚石膜过渡层拉曼光谱
偏压对ECR-微波等离子增强沉积ZrN薄膜的结构及性能的影响
2005年
利用ECR-微波等离子溅射沉积技术加不同偏压在45#钢基体上制备了ZrN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对薄膜的微观组织结构进行了分析。结果表明,无偏压时薄膜为非晶膜,随着偏压的升高,薄膜呈ZrN晶体结构。利用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试了薄膜表面形貌。薄膜表面平整,但仍存在局部缺陷;粗糙度(RMS)在0.311—0.811nm之间变化,轮廓算术平均值(Ra)在0.239—0.629nm之间变化。同时利用电化学极化实验在0.5mol/LNaCl溶液中测试了基体及薄膜的耐蚀性能,基体自腐蚀电位Ecorr为–512.3mV,样品Ecorr在–400.3—–482.6mV之间变化,45#钢基体自腐蚀电流Icorr为9.036μA,样品Icorr在0.142—0.694μA之间变化。并讨论了偏压对薄膜的微观组织和耐蚀性能产生影响的原因。
刘天伟董闯邓新禄陈曦
关键词:非平衡磁控溅射偏压
功能表面降膜蒸发传热特性的实验研究被引量:31
2003年
研究了处理表面镀铬铝管、PTFE铜管和纯铝氧化管水平管降膜蒸发传热 ,研究了喷淋密度、热流密度、管内蒸汽速度和管表面处理对降膜蒸发传热特性的影响。实验结果表明 :在表面蒸发区 ,水平管降膜蒸发传热系数随热流密度的增加而提高 ,随喷淋密度增大先降低后升高 ,冷凝侧传热系数基本保持不变。总传热系数对操作条件变化很不明显 ,表面阳极氧化膜使传热系数略有下降 ,但由于其优良的抗垢耐蚀性能 ,非常有必要再进行深入地研究。
马学虎高大志安家明朱晓波陈嘉宾邓新禄
关键词:水平管降膜蒸发器
通过制备Ti/TiC和Si/Si_xN_y过渡层在铜基体上沉积类金刚石膜的研究被引量:5
2006年
将磁控溅射物理气相沉积(MS-PVD)和电子回旋共振-微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术相结合,在铜基体上通过制备两种不同的过渡层,成功地沉积了类金刚石膜。拉曼光谱结果分析表明,所制备的碳膜都具有典型的类金刚石结构特征。通过原子力显微镜对薄膜的微观形貌进行分析,采用纳米压痕测量薄膜的硬度和模量。并对Ti/TiC过渡层和Si/SixNy过渡层上沉积的类金刚石薄膜进行了研究对比。
王静刘贵昌汲大鹏徐军邓新禄
关键词:类金刚石膜过渡层纳米压痕
负偏压射频放电过程的流体力学模拟被引量:5
1996年
采用流体力学方法研究了负偏压射频放电的物理过程,计算了带电粒子密度及电场的时空分布,分析了在不同的近似条件下,离子动量平衡方程中各项的贡献。
朱武飚王友年邓新禄马腾才
关键词:等离子体射频放电
化爆材料瞬态切削温度的NiCr/NiSi薄膜热电偶温度传感器的研制被引量:16
2006年
针对化爆材料的切削特点,研制出一种集切削和测温功能于一体的NiCr/NiSi薄膜热电偶快速响应温度传感器。用多弧离子镀将NiCr/NiSi热电偶薄膜直接镀于高速钢刀头内。薄膜热电偶电极与高速钢之间采用最先进的多层镀膜法绝缘,即用微波ECR等离子体源增强射频反应非平衡磁控溅射技术首次成功在W18Cr4V高速钢基底上沉积绝缘性能良好的SiO2膜。对研制的薄膜热电偶温度传感器进行了静态和动态标定,结果表明传感器在0- 600℃测温范围内具有很好的线性和热稳定性,而且响应快,时间常数小于0.8 ms。热电偶薄膜与绝缘膜、绝缘膜与基体之间有足够的附着强度。该温度传感器已安装在现场使用,为国防工业部门的高效、安全生产提供了有力的保障。
曾其勇孙宝元徐静贾颖崔云先邓新禄徐军
关键词:薄膜热电偶切削温度磁控溅射离子镀
表面处理水平管外海水降膜蒸发传热的初步实验研究被引量:9
2004年
对经处理的表面进行了传热性能测定和表面抗垢特性的考察。考察了淡水和海水在离子镀铬、氮化钛和化学处理水平铝管外表面的降膜传热热性。实验结果表明,经过表面改性处理后的表面可以实现高传热率、耐腐蚀和抗污垢的多重综合功效,对于开发新型海水淡化蒸发技术和设备具有重要的意义。但是表面处理的工艺条件需作进一步的研究和分析,以期实现在较长时期内的稳定工作的需要。
马学虎安家明朱晓波陈嘉宾邓新禄
关键词:海水淡化降膜蒸发传热率
等离子体作用下甲烷氢化偶联被引量:10
2001年
在常温常压下, 研究了脉冲放电等离子体及其协同催化剂强化CH4氢化偶联反应. 结果表明: 脉冲电晕等离子体条件下, 甲烷中引入氢气可以实现偶联, 而且随着氢气引入量的增加甲烷的转化率以及C2收率增大, 积碳减少; 脉冲电压和重复频率影响CH4的转化; 引入Ni/(-Al2O3催化剂后可改善产物C2烃的分布, 等离子体法制备的Ni/(-Al2O3催化剂性能优于化学法制备的Ni/(-Al2O3催化剂. 开辟了一条甲烷偶联新技术路线.
代斌张秀玲张琳宫为民何仁陆文琪邓新禄
关键词:甲烷脉冲放电等离子体转化率化学法
光谱诊断冷等离子体作用下甲烷转化机理的初步研究(英文)被引量:12
2004年
冷等离子体是甲烷无氧活化制C2烃较为有效的技术手段之一,由于等离子体反应体系的复杂性,甲烷无氧活化制C2烃反应机理及过程尚不十分清楚。本文采用发射光谱原位诊断技术对冷等离子体作用下甲烷无氧活化制C2烃反应中若干激发态物种进行诊断研究,在250nm~670nm波长范围内检测到下列激发态物种:CH、C和C2。依据激发态物种检测结果、气相色谱反应产物分析结果及等离子体特性,推断了等离子体作用下甲烷无氧活化制C2烃的自由基反应历程。
张秀玲刘中凡李学慧代斌宫为民张家良邓新禄
关键词:发射光谱甲烷等离子体
MW-ECR PE-UMS等离子体特性及对Zr-N薄膜结构性能的影响被引量:3
2005年
采用静电探针技术对微波电子回旋共振(MW ECR)等离子体进行了诊断,利用等离子体增强非平衡磁控溅射(PE UMS)法在常温下制备了Zr N薄膜,通过EPMA,XRD,显微硬度对膜的结构和性能进行评价.实验结果表明,随氮气流量增加,总的等离子体密度从8.07×109cm-3增加到8.31×109cm-3然后逐渐减小为7.52×109cm-3;而N2+密度则从3.12×108cm-3线性递增到3.35×109cm-3;电子温度变化不大.对薄膜而言,随N2+密度增大,样品中氮含量增加,而晶粒逐渐变小,当样品中N Zr原子比达到1.4时,薄膜中出现亚稳态的Zr3N4相以及非晶相,在更高氮流量下,整个薄膜转变为非晶态.与此相应,薄膜硬度由最初的22.5GPa增大到26.78GPa然后逐渐减小到19.82GPa.
张治国刘天伟徐军邓新禄董闯
关键词:等离子体特性非平衡磁控溅射电子回旋共振等离子体密度EPMA
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