邵传芬
- 作品数：14 被引量：13H指数：2
- 供职机构：上海交通大学微电子学院微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 钼栅CMOSFET的制备
- 1990年
- 本文介绍了用难熔金属钼栅作材料所制成的3μm沟道的CMOSFET,详细地说明了钼膜的制备、退火、刻蚀及钼膜的保护层和钼栅CMOS IC的工艺流程,给出了Mo栅CMOSFET的特性及单位栅宽的跨导值(mS/mm)。实验证实,Mo栅优于Al栅单沟道MOSFET的跨导。
- 邵传芬
- 关键词：VLSICMOSFET
- 难熔金属钼的刻蚀
- 1990年
- 本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中.
- 邵传芬
- 关键词：难熔金属钼刻蚀反应离子刻蚀
- MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能被引量：1
- 2000年
- 研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在 1 4MeV中子辐照下的性能 .测量了探测器经过 1 0 12 n/cm2 中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱 ,并且与 6 0 Co 1 2 5MeV光子辐照的测量结果相比较 .对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨 .并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设 。
- 李澄陈宏芳吴冲张永明许咨宗乐毅邵传芬史常忻
- 关键词：粒子探测器辐照损伤MSM结构
- GaAs粒子探测器的能谱特性被引量：1
- 2000年
- 阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线能量分辨率约为 30 %。该探测器对 90 Sr2 .2 7Me V的β粒子有最小的电离粒子谱。探测器在累积照射量为 1 3 k Gy的光子 1 3 7Cs(662 ke V)辐照下 ,辐照前后的电荷收集率无明显变化。诸多实验结果表明 。
- 邵传芬史常忻陈宏芳李澄
- 关键词：能谱砷化镓
- Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试被引量：1
- 1997年
- 提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器．
- 邵传芬史常忻张利民
- 关键词：肖特基结构半导体探测器粒子探测器
- 平面交叉指状电极间电场分布被引量：3
- 1998年
- 研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。
- 史常忻覃化邵传芬曹俊峰
- 关键词：半导体器件MSM-PD光电器件
- 采用p型埋层CMOS工艺制备线性磁场传感器
- 1992年
- 介绍一种新型的线性磁场传感器。其结构为横向双基极、双集电极晶体管,器件对磁场呈线性响应。在弱磁场下,其相对灵敏度达105.17%/T,在低负载电阻(500Ω)下,其绝对灵敏度达3.78V/T。
- 邵传芬
- 关键词：磁场传感器CMOSP型
- GaAs粒子探测器对低能X射线的响应被引量：2
- 1998年
- GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传感器。
- 邵传芬史常忻张利民
- 关键词：X射线砷化镓探测器线性传感器
- GaAs粒子探测器的抗辐照特性研究
- 1995年
- 报道了一种面积为９ｍｍ２的ＧａＡｓ肖特基势垒粒子探测器，其反向耐压高于４００Ｖ，反向漏电流低于１２５ｎＡ（ＶＲ＜－１５０Ｖ）。器件经受能量为３ＭｅＶ、剂量为５００ｋＧｙ的电子辐照后，反向漏电流为２７０ｎＡ（ＶＲ＝－１５０Ｖ）。说明在高能物理和核物理中很有应用前途。
- 邵传芬史常忻
- 关键词：粒子探测器肖特基势垒砷化镓
- GaAs微条粒子探测器的设计被引量：2
- 2004年
- 介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。
- 邵传芬史常忻凌行温伯莹
- 关键词：GAAS探测器二极管
