陈凤翔 作品数:15 被引量:40 H指数:4 供职机构: 武汉理工大学理学院 更多>> 发文基金: 中央高校基本科研业务费专项资金 国家自然科学基金 湖北省高等学校省级教学研究项目 更多>> 相关领域: 理学 电气工程 电子电信 化学工程 更多>>
n-β-FeSi_2/p-Si异质结太阳电池的计算机模拟 被引量:5 2013年 主要以AFORS-HET软件来模拟n-β-FeSi2/c-Si(p)/μc-Si(p+)太阳电池的性能,讨论了发射区和μc-Si背场的特性对异质结太阳电池转换效率的影响。模拟结果发现:发射层的厚度增加会显著减低电池的短路电流密度,从而影响电池的转换效率;发射层的掺杂浓度也是影响异质结太阳电池光伏性能的一个重要参数;界面态对电池的影响是不容忽视的,为获得高效率的太阳电池,需尽可能将界面态缺陷密度控制在1010 cm-2/eV以下;微晶硅背场可有效提高太阳电池的转换效率,但要求背场掺杂至少要达到1019 cm-3以上。 许文英 陈凤翔 王嘉赋关键词:界面态密度 背场 低成本钙钛矿太阳电池的清洗工艺研究 2018年 主要研究了FTO玻璃清洗工艺对无空穴传输层的碳电极钙钛矿太阳电池的光电性能影响,对比分析了常规清洗和引入三氯乙烯清洗的不同效果。实验结果表明:三氯乙烯的清洗将有助于制备更平整的Ti O2致密层,且后期制作的钙钛矿层覆盖率更高。相比未采用三氯乙烯清洗的样品,采用三氯乙烯清洗后制备的钙钛矿太阳电池短路电流密度有明显提高,且电池的工艺重复性明显提升。但缺少空穴传输层会极大影响钙钛矿太阳电池的转换效率,若能在廉价空穴传输层材料的制备工艺中获得突破,结合三氯乙烯的清洗,将有助于提升钙钛矿太阳电池的市场竞争力。 张勇 陈凤翔 许伟康 杨永勇 王嘉绮关键词:三氯乙烯 α-In_(2)Se_(3)修饰的多层MoS_(2)记忆晶体管的光电协控阻变特性研究 2023年 记忆晶体管将忆阻器和场效应晶体管结合起来,这种结构能够引入多端口控制,对于丰富存储器的调控手段具有重要的意义。使用微机械剥离法依次转移了多层MoS_(2)和α-In_(2)Se_(3),搭建了以α-In_(2)Se_(3)作为修饰的MoS_(2)记忆晶体管,并对其在电场、光场和光电协同控制下的阻变特性进行了研究。实验结果表明,器件表现出单极性阻变特性并且能够在128个循环和104s的时间内保持良好的耐久性,器件受栅极电压和单色光照调控效果明显,在电场和光场的协同控制下可以实现开关比在1.8×10^(1)~4.2×10^(3)的范围内变化。其阻变机理可以归因于多层MoS_(2)中缺陷捕获载流子对肖特基势垒的调制和氧离子焦耳热梯度填补S空位对沟道电导的调制。 相韬 陈凤翔 李晓莉 王小东 闫誉玲 汪礼胜关键词:单极性 CsGeI_3空穴传输层平面异质结钙钛矿太阳电池的模拟优化 被引量:2 2017年 采用AFORS-HET软件对CsGeI_3空穴传输层(Hole Transport Material,HTM)平面异质结钙钛矿太阳电池进行了模拟,TiO_2作为电子传输层,CH_3NH_3PbI_3作为光吸收层,C作为背电极,分别讨论了钙钛矿光吸收层厚度、缺陷浓度,光吸收层/HTM界面态密度和HTM对太阳电池性能参数的影响。模拟优化得到CsGeI_3HTM的PSCs最佳性能参数为:Voc=1.199 V,Jsc=22.2 m A·cm^(-2),FF=86.22%,PCE=22.95%,效率虽略低于spiro作为HTM的器件,但考虑生产工艺和制备成本,CsGeI_3作为HTM的PSCs将具有更好的应用前景。 杨永勇 汪礼胜 许伟康 张勇 王嘉绮 陈凤翔关键词:CS I3 应力对单层GaTe能带结构和迁移率影响的第一性原理研究 2018年 基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了单层碲化镓(GaTe)能带结构和载流子迁移率随外加应力的变化。计算发现:载流子有效质量和迁移率随K点位置而不同,并且形变势对载流子迁移率影响很大;在单层GaTe的b轴或ab双轴上施加合适的压应力对能带结构的影响较为明显,可使其从间接带隙转变为直接带隙,并且带隙随着压应力的增加而逐渐减小;此外,施加ab双轴压应力更能提高载流子迁移率。因此,单层GaTe在应力调控下可作为制备高性能微纳电子器件的一种有前途的候选材料。 王嘉绮 汪礼胜 姜豹 陈凤翔关键词:迁移率 SiO_2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计 2011年 采用严格耦合波理论和增强透射矩阵方法,对SiO2纳米柱阵列太阳电池减反射层进行了优化设计。设计的纳米柱阵列结构在300~1 200 nm波长范围内,可实现在太阳光0°~60°的入射范围内平均加权反射率接近1%。通过与以太阳光30°入射优化设计的新型纳米SiO2单层和SiO2/TiO2双层减反射膜相比,发现优化设计的SiO2纳米柱阵列减反射层结构在宽波段、宽入射角度范围内能更有效地减少光反射,从而提高太阳电池的转换效率、降低生产成本。 汪礼胜 沈杨超 陈凤翔 王嘉赋关键词:太阳电池 严格耦合波理论 宽角度硅太阳电池减反射膜的优化设计 被引量:6 2008年 以太阳电池减反射膜为研究对象,考虑太阳光从0°~60°宽角度入射,同时结合硅的光谱响应和太阳光谱分布,采用加权平均反射率作为评价膜系质量的标准,利用数值计算设计了的最佳双层减反射膜SiN_x/SiO_x。计算结果表明30°是设计减反射膜的最佳优化角度。对于入射介质为空气时,最优薄膜参数为n_(SiN_x)=2.3,d_(SiN_x)=56nm, n_(SiO_2)=1.46,d_(SiO_2)=90nm。当太阳电池封装后,即入射介质为硅胶时,最佳膜系参数为n_(SiN_x)=2.3,d_(SiN_x)=65nm,n_(SiO_x) =1.63nm,d_(SiO_x)=80nm。 陈凤翔 汪礼胜关键词:太阳电池 减反射膜 脉冲光激励对少数载流子寿命的理论分析 被引量:2 2007年 主要从理论上研究脉冲光信号激励对少数载流子寿命测试结果的影响.通过研究两种理想的脉冲光源——高斯脉冲、方脉冲与理想δ函数光源产生的光电导衰减曲线的对比,发现对于高斯脉冲光源,只有在脉宽的条件下才可等效于δ函数光源;而脉宽的方脉冲才能等效为δ函数光源.否则脉冲光过长的脉宽和下降沿将对光电导衰减曲线中进一步分离出的表面复合速度和少子体寿命结果造成误差.若样品受表面状况影响较小时(如体寿命较低或表面复合速度低时),则可对两种理想脉冲光源的要求适当放宽. 陈凤翔 汪礼胜 胡昌奎 吴薇关键词:少子寿命 高斯脉冲 表面等离子体激元增强薄膜太阳电池研究进展 被引量:14 2011年 表面等离子体激元共振是金属纳米结构非常独特的光学特性,对基于表面等离子体激元共振的纳米结构体系的研究已形成了一门新兴的学科,即表面等离子体光子学。可以利用金属纳米颗粒光散射、近场增强以及高度局域的表面等离子体极化激元增强薄膜太阳电池光吸收,提高电池转换效率。当前,表面等离子体光子学应用于太阳电池的设计已成为国际上光伏研究迅猛发展的一个热点。文章主要介绍表面等离子体激元增强薄膜太阳电池光吸收的原理及其在光伏器件中应用的最新研究进展。 陈凤翔 汪礼胜 祝霁洺关键词:表面等离子体激元 薄膜太阳电池 金属纳米颗粒 纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计 被引量:1 2011年 采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H(p)/nc-Si∶H(i)/c-Si(n)/nc-Si∶H(n+)/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为:开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。 汪礼胜 祝霁洺 陈凤翔关键词:异质结太阳电池 优化设计