陈可心
- 作品数：17 被引量：54H指数：4
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目广东省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>
- CO_2连续激光蒸发制备单壁碳纳米管及其Raman光谱的研究被引量：24
- 2002年
- 讨论了在室温下用波长 10 .6 μm的CO2 连续激光制备单壁碳纳米管的工艺条件和生长机理 .用大功率CO2 连续激光蒸发制备单壁碳纳米管 ,所用激光功率 40 0— 90 0W ,高分辨透射电镜观察表明单壁碳纳米管直径 1.1—1 6nm ,随着激光功率的增加稍微增加 .本文还分别用波长为 5 14.5nm和 6 32 .8nm激发光测量了CO2 红外激光制备的单壁碳纳米管的一级和二级Raman光谱 ,发现在Raman特征峰的位置、强度上都存在差异 .还将用CO2 红外激光制备的单壁碳纳米管的Raman光谱与用YAG激光制备的单壁碳纳米管的Raman光谱进行了比较 .
- 张海燕陈可心朱燕娟陈易明何艳阳伍春燕王金华刘颂豪
- 关键词：单壁碳纳米管RAMAN光谱
- 实用化千瓦级准基模二氧化碳激光器
- 廖健宏丘军林李铸和蒙红云周永恒陈可心赵杏元李丹陈新宏郑汉书
- 该成果产品千瓦级切割用CO<,2>激光器运行稳定性和可靠性方面，进一步缩小与发达国家同类产品的差距，迅速扩大激光切割的推广应用。在价格方面，该项目产品价格不到国外同类产品的1/2，先进的技术加上极具竞争力的价格优势，使该...
- 关键词：
- 关键词：激光切割加工
- 红外CO_2激光制备单壁碳纳米管的研究
- 2006年
- 介绍了试验用的CO2连续激光制备单壁碳纳米管系统．用CO2连续激光蒸发制备了单壁碳纳米管，所用激光功率为400～900W，用高分辨透射电镜观察发现单壁碳纳米管直径为1．1～1．6nm．随着激光功率的增加管径稍微增加．用波长632．8nm激发光测量了所制备的单壁碳纳米管的一级和二级Raman光谱．比较了用YAG脉冲激光和CO2连续激光制备的单壁碳纳米管的Raman的光谱，发现在Raman特征峰的位置上存在差异．同时．对在室温下用波长10．6μm的红外CO2连续激光制备单壁碳纳米管的工艺条件和生长机理进行了讨论．
- 张坚李明华曾国勋胡礼初陈可心
- 关键词：单壁碳纳米管RAMAN光谱
- 即食粉筛板的激光打孔
- 1997年
- 利用脉冲YAG激光加工机，对两块即食粉筛板打孔，给出了打孔的工艺参数，并讨论了影响打孔质量的因素。
- 廖健宏陈强梅宴标陈可心
- 关键词：筛板激光打孔食粉激光加工面粉
- 激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究
- 2002年
- 用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30
- 梁礼正张海燕何艳阳陈可心王卫乡刘颂豪
- 关键词：激光诱导化学气相沉积法退火工艺红外吸收光谱集成电路
- 激光加工机械与工业生产
- 1995年
- 激光加工机械与工业生产华南师范大学量电所激光加工中心陈可心一、激光加工技术在工业生产中愤地位自１９７０年后，随着高功率ＣＯ。及ＹＡＧ激光器的相继出现，使激光的应用迅速拓展到包括切割、焊接、热处理等材料加工领域、八十年代以来．激光加工设备的自动化成了主...
- 陈可心
- 关键词：金属切削激光加工激光加工机床
- 用连续波CO_2激光对氮化硅陶瓷打孔的实验研究被引量：3
- 2000年
- 报导用连续波ＣＯ_２激光加工机对氮化硅陶瓷的激光打孔试验，获得了深径比达１８．７５的结果．
- 陈可心张有廖健宏王卫乡
- 关键词：激光加工氮化硅陶瓷激光打孔二氧化碳激光
- 退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响
- 2000年
- 研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。
- 张海燕陈可心刘颂豪梁礼正王卫乡
- 关键词：纳米硅红外光谱
- 制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响被引量：10
- 2001年
- 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。
- 梁礼正张海燕何艳阳陈可心王卫乡刘颂豪
- 关键词：激光诱导化学汽相沉积红外光谱粒径退火
- 金刚石干切片基体的激光切割
- 1993年
- 1 前言 金刚石干切片是一种广泛应用于石材、石雕、建筑、装修等行业的切削工具,用来切割、磨削大理石、花岗岩等石料。基于金刚石干切片基体(以下简称基体)的特殊形状,在使用时,能把切削下来的碎石屑等残渣由其上的槽口带走,而不需要象湿切片那样靠水冲走。
- 梅宴标陈可心廖健宏李冠冰李铸和邓纪桥刘颂豪
- 关键词：金刚石切片激光切割
