陈玉强
- 作品数：41 被引量：38H指数：3
- 供职机构：牡丹江师范学院物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金黑龙江省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术交通运输工程更多>>
- 直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性研究被引量：1
- 2010年
- 为了获得高质量的金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积系统分别在不同基片温度和不同碳源气体含量条件下生长金刚石薄膜,利用Raman光谱、SEM和XRD检测方法研究了基片温度和碳源气体含量对金刚石薄膜生长特性的影响.结果表明,金刚石薄膜与基片Mo之间有Mo2C的过渡层存在;1000℃的温度能够促进金刚石晶体的生长,抑制其他碳杂质的形成,CH4体积分数为2%适于快速生长高纯度的金刚石薄膜.
- 吕江维冯玉杰彭鸿雁陈玉强
- 关键词：金刚石化学气相沉积
- 多孔碳化硼成型工艺的研究
- 2011年
- 利用有机泡沫浸渍工艺制备了孔径为0.5mm左右的碳化硼多孔预制体,研究了海绵表面预处理及固相含量对挂浆量的影响,通过SEM、XRD对制品进行了表面形貌的观查及物相分析,研究表明海绵的预处理可有效提高挂浆量,浆料固相含量在30～35%vol时浸渍效果最佳。
- 李鹏陈玉强杨金茹
- 关键词：浸渍工艺碳化硼表面改性
- BiF_3弹性性质和电子性质的第一性原理计算
- 2018年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对BiF_3的结构、弹性和电子性质进行了研究。计算表明,正交的Pnma结构是零压下的最稳定结构。在0~45 GPa压力区间内,Pnma结构都是力学稳定的。BiF_3是脆性材料,有较强的弹性各向异性特征。零压下体模量、剪切模量和杨氏模量分别为27.9 GPa,25.7 GPa和58.9 GPa,泊松比为0.15,德拜温度是244 K。电子性质的研究表明,零压下BiF_3的带隙为4.69 eV,随着压强的升高,导带向高能方向移动,价带向低能方向移动。化学键是共价键和离子键的混合。
- 孙霄霄周振翔赵祥敏陈玉强
- 关键词：第一性原理电子性质
- Y_2O_3添加剂对SiC复相多孔陶瓷烧结性能和力学性能的影响被引量：1
- 2011年
- 利用添加造孔剂法制备SiC复相多孔陶瓷。研究了Y2O3添加剂对SiC复相多孔陶瓷的烧结温度及烧结体力学性能的影响机理。结果表明:Y2O3的加入大大降低了SiC复相多孔陶瓷烧结温度,样品的力学性能有所提高,抗弯强度提高18.46%,稀土氧化物占总质量3%时能提高SiC复相多孔陶瓷的抗氧化性,氧化速率降低了66.7%。YAG相在SiC晶界均匀分布,细晶,裂纹偏转及晶界桥联是SiC复相多孔陶瓷的增韧的机理。
- 杨金茹陈玉强彭鸿雁李鹏尹龙成
- 关键词：稀土氧化物多孔陶瓷碳化硅
- 直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜
- 2012年
- 采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行。采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明,当单个生长周期为30 min(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10 min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。
- 姜宏伟黄海亮贾相华尹龙承陈玉强彭鸿雁
- 关键词：CVD金刚石膜
- 直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备透明金刚石膜
- 2014年
- 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段和刻蚀两个阶段,沉积阶段为20 min,刻蚀阶段为1 min,沉积和刻蚀通过温度的调节来实现,总的生长时间10 h;实验中主要改变的参数是N2气比例,将N2气流量与总气体流量的比例分为高、中、低三档分别进行实验。结果在CH4:N2:H2比例为2:20:180时获得了透明金刚石膜。金刚石膜样品用Raman光谱仪、SEM和XRD进行了表征,研究表明,直流热阴极PCVD间歇生长模式下,通过引入氮原子的作用,可以制备出(111)面取向的透明金刚石膜。
- 彭鸿雁姜宏伟尹龙承黄海亮王丹陈玉强
- 关键词：PCVD
- 碳化硼复合材料多孔网状增强体的制备
- 2011年
- 采用具有连通三维网络结构的聚氨酯海绵作为骨架,用有机泡沫浸渍法制备了孔径在0.7~1mm左右的碳化硼多孔预制体。研究了排塑工艺对多孔预制体的影响,指出随着排塑温度的升高碳化硼氧化加重生成了氧化硼,氧化硼为液态且冷却后会有裂纹产生,对预制体的性能影响较大。
- 李鹏陈玉强杨金茹
- 关键词：碳化硼浸渍工艺
- 基于AT89C52的液体点滴速度检测与控制装置被引量：2
- 2016年
- 针对目前医院中点滴输液所存在的问题,以AT89C52单片机作为控制核心,采用精度比较高的红外线光电传感器实现对液体点滴速度的测量和液位监测,用永磁电机拖动、控制储液瓶的高度,实现点滴速度的自动调节,使点滴输液变得更加方便和安全,同时系统的GSM模块为医生查房、换药、书写病历等起到了辅助作用,具有较高的实用价值。
- 白龙刘洁王淑玉陈玉强付东辉李明
- 关键词：AT89C52GSM
- 间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜被引量：2
- 2010年
- 采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。
- 姜宏伟彭鸿雁陈玉强祁文涛王军曲晏宏
- Mo_3Al_2C力学及电子性质的第一性原理研究
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的势平面波方法,在0-50 GPa压力作用下,对立方结构Mo3Al2C的力学性质和电子性质进行了研究。计算表明,计算得到的晶格常数与实验值符合的很好,立方结构的Mo3Al2C晶体在0-50 GPa压力下是稳定结构,块体模量,剪切模量,杨氏模量和不可压缩性随着压强的增加而增大而晶格常数和体积逐渐降低。B/G=2.26,表明这个材料是延性材料。电子性质的分析表明,Mo3Al2C表现出金属性,化学键是共价键与离子键的混合。
- 刘海生孙霄霄陈玉强
- 关键词：第一性原理力学性质电子性质
