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陈运祥

作品数:38 被引量:25H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 11篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 24篇电子电信
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇声表面波
  • 8篇体声波
  • 7篇压电薄膜
  • 7篇滤波器
  • 6篇延迟线
  • 6篇谐振器
  • 5篇声表面波器件
  • 5篇声速
  • 5篇声体波
  • 5篇体声波谐振器
  • 5篇卷积
  • 5篇卷积器
  • 5篇薄膜体声波谐...
  • 5篇SAW
  • 4篇单片式
  • 4篇压电
  • 4篇声表面波滤波...
  • 4篇微波
  • 4篇相速度
  • 4篇换能器

机构

  • 21篇中国电子科技...
  • 15篇四川压电与声...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇布朗大学

作者

  • 38篇陈运祥
  • 13篇冷俊林
  • 12篇周勇
  • 8篇马晋毅
  • 7篇杨正兵
  • 6篇张永川
  • 6篇李洪平
  • 6篇董加和
  • 5篇谭学斌
  • 5篇杨增涛
  • 5篇王宗富
  • 5篇傅金桥
  • 5篇陈小兵
  • 5篇赵雪梅
  • 5篇张龙
  • 5篇赵建华
  • 4篇朱昌安
  • 4篇谢兵
  • 4篇伍平
  • 3篇周子新

传媒

  • 22篇压电与声光
  • 1篇2008促进...
  • 1篇2009年中...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2011
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 5篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高次谐波声体波谐振器
1996年
简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究,给出了超高频和L波段高Q值高次谐波声体波谐振器的实验结果。
王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝
关键词:声体波高次谐波谐振器薄膜换能器Q值微波
用超声喷雾热解新方法生长ZnO膜
1991年
采用超声喷雾热解法已在各种基片上长出了ZnO膜。通过X射线、光学及电气测量结果表明了所制备的ZnO膜的特征。发现它们为单一物相、均质且厚度均匀。这些膜的质量与用更复杂的方法制备的膜的质量相当。ZnO膜适合于许多半导体应用。
P.WuY-M.Gao陈运祥
关键词:热解法
IDT/AlN/LiNbO_3结构声表面波滤波器模拟和分析被引量:1
2008年
研究了IDT/AlN/LiNbO3结构声表面波滤波器的频散特性,发现了高机电耦合系数(>18%),高声速(>10 km/s)的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟,其结果与文献报道的实验结果基本一致。
李健雄杨成韬王锐陈运祥张树人
关键词:声表面波ALN薄膜
18~20GHz体声波微波延迟线被引量:1
1995年
给出了利用换能器旁瓣响应得到的体声波(BAW)微波延迟线在18~20GI12频率范围内的频域及时域性能,其最小插入损耗为83dB,延迟时间200ns,并对器件插入损耗进行了分析。
汤劲松李晓丹陈运祥
关键词:体声波微波延迟线
可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法
本发明公开了一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法,涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法,包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器,谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极,底电极靠预设空腔一侧设置有...
杨增涛马晋毅冷俊林杨正兵赵建华陈小兵陈运祥周勇傅金桥张龙
一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
本发明公开了一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法,ZnO薄膜材料是在该ZnO薄膜中掺杂有锂和钒,构成Li<Sub>x</Sub>V<Sub>y</Sub>Zn<Sub>(</Sub><Sub>1-x-...
陈运祥董家和冷俊林李洪平杨洁
一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
本发明公开了一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法,ZnO薄膜材料是在该ZnO薄膜中掺杂有锂和钒,构成Li<Sub>x</Sub>V<Sub>y</Sub>Zn<Sub>(1‑x‑y)</Sub>O压电...
陈运祥董家和冷俊林李洪平杨洁
文献传递
单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器
1992年
本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。
周子新陈运祥谢兵朱昌安王锋友
关键词:声表面波卷积器
C波段超短延时声体波延迟线被引量:1
1997年
叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率4.2GHz,延迟时间分别为50ns和70ns的器件。
周小平王宗富陈运祥刘岳穗周勇
关键词:声体波微波延迟线
声表面波器件抗300℃高温剥离方法
本发明公开了一种声表面波器件抗300℃高温剥离方法,包括如下步骤:1)在基片上制作金属芯片;2)在基片的金属面上贴上一层干膜;3)对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光;4)对干膜进行显影;5)对引线键合区表面有干膜的基片表...
冷俊林董加和陈运祥陈彦光金中
文献传递
共4页<1234>
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