陈邦明
- 作品数：107 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法
- 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，...
- 刘波宋志棠封松林陈邦明
- 文献传递
- 电阻转换存储器装置及其制造工艺
- 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二...
- 张挺宋志棠刘波封松林陈邦明
- 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法
- 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出...
- 刘卫丽宋志棠封松林陈邦明
- 文献传递
- 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法
- 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO<Sub>2</Sub>，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变...
- 宋志棠马友鹏封松林陈邦明
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- 电阻转换存储器及其制造方法
- 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中...
- 张挺宋志棠陈小刚顾怡峰刘波封松林陈邦明
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- 相变存储器存储单元及其制备方法
- 本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中...
- 宋志棠刘波封松林陈邦明
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- 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法
- 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘...
- 宋志棠刘奇斌张楷亮封松林陈邦明
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- 一种采用新型逻辑算法的SAR ADC被引量：1
- 2018年
- 基于SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一种12位逐次逼近寄存器式模数转换器(SAR ADC).在正常工作模式的基础上,增加了当模拟输入信号变化缓慢时,锁定前4位,仅转换后8位的工作模式,降低了ADC的功耗,提高了ADC的采样率,同时分辨率保持不变.当模拟输入信号变化较大时,ADC又可重新回到正常工作模式.在1.1V的电源电压,3.6 MS/s的采样率下,ADC总功耗为43μW,品质因数FOM为10.1fJ/(conv.·step).
- 黄添益王本艳景蔚亮宋志棠陈邦明
- 一种纳米复合相变材料的制备方法
- 本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体，使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并形成固体化合物，与反应剩...
- 张挺宋志棠刘波刘卫丽封松林陈邦明
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- 硅锑碲复合相变材料
- 本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Si<Sub>y</Sub>(Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>)<Sub>1-y</Sub>其由功能材料Si和相变材料Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub...
- 张挺宋志棠刘波封松林陈邦明
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