靳炉魁
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学电子与信息工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种新型RF MEMS单刀双掷开关的设计与仿真
- 本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关，利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V，开关时间为22μs，在中心频率3...
- 苟元潇吴群靳炉魁陈鹏
- 关键词：单刀双掷开关插入损耗回波损耗隔离度
- 矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器
- 矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器，它涉及微机电系统移相器。它解决了现有MEMS移相器存在单桥相移量小、相位精度低的问题。本发明的金属槽形矩形桥(8)覆盖在n个金属桥(5)的上方，金属槽形矩形桥(8)的桥壁下端...
- 吴群傅佳辉孟繁义杨国辉靳炉魁唐恺贺训军
- 文献传递
- RF MEMS开关及移相器的分析与设计
- RF MEMS开关和移相器由于其损耗低、体积小、重量轻及易与其他微电子加工工艺相兼容等特点,在相控阵雷达、微波通信、卫星通信以及微波测量等领域得到了越来越多的应用。一直以来,由于在毫米波段应用设计的复杂性, RF MEM...
- 靳炉魁
- 关键词：开关移相器
- 文献传递
- 一种新型RF MEMS单刀双掷开关的设计与仿真
- 2010年
- 本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RFMEMS单刀双掷开关,利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明:驱动电压为22V,开关时间为22μs,在中心频率30GHz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB,回波损耗为43dB,隔离度为29dB;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB,回波损耗为19dB,隔离度为28dB,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。。
- 苟元潇吴群靳炉魁陈鹏
- 关键词：RFMEMS单刀双掷开关插入损耗回波损耗隔离度
- 一种新颖的基于弧形桥式共面波导的射频MEMS移相器
- 本文介绍了一种Ka波段的基于弧形桥式共面波导的新颖的分布式MEMS移相器。该弧形桥结构跨接在共面波导两侧的地线上，完全覆盖了MEMS金属桥，并且在金属桥下方的信号线上对称地开有锯齿形结构。
本文采用CST软件在...
- 靳炉魁唐恺贺训军杨国辉傅佳辉吴群
- 关键词：移相器KA波段优化设计
- 文献传递
