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马涛

作品数：21 被引量：37H指数：4
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程经济管理电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇学位论文
  • 7篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇政治法律

主题

  • 8篇电致发光
  • 8篇发光
  • 7篇电致发光器件
  • 7篇有机电致发光
  • 7篇有机电致发光...
  • 7篇发光器件
  • 5篇栅电荷
  • 4篇星形
  • 4篇氧化层
  • 4篇刻蚀
  • 4篇功率MOSF...
  • 3篇低开关损耗
  • 3篇栅电极
  • 3篇损耗
  • 3篇开关损耗
  • 2篇淀积
  • 2篇应力
  • 2篇应力约束
  • 2篇有机功能材料
  • 2篇三苯

机构

  • 21篇电子科技大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 21篇马涛
  • 7篇于军胜
  • 7篇蒋亚东
  • 7篇李璐
  • 6篇文雯
  • 5篇乔明
  • 5篇张波
  • 3篇唐晓庆
  • 1篇娄双玲
  • 1篇张清

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2013
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SG公司“边缘—精进战略”的进程分析
21世纪到处充满着变革,而且变革是不可预测的。究竟什么样的战略才能适应高速、且不可预测的持续变革呢?边缘竞争战略是一种很好的选择。本文阐述了战略管理发展的新阶段——边缘竞争理论的基本思想、基本观点和主要内容,并以SG公司...
马涛
文献传递
一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法
本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，控制栅制备包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，热生长牺牲氧并淀积氮化硅，其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开；淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面，使用MA...
乔明王正康马涛张波
文献传递
基于电生理的颞叶癫痫脑网络机制研究
颞叶癫痫(TLE)是一种在成年人中最常见的难治性癫痫。近年来，应用复杂网络分析方法，研究大脑区域间的连接变化和神经疾病的发作机制，已成为脑科学研究的热点。新近的研究表明，颞叶癫痫的发作和传播过程中伴随多个脑区的活动和功能...
马涛
关键词：颞叶癫痫电生理脑电信号动物模型
基于COMSOL平台的连续体结构拓扑优化方法研究
作为结构设计中一门新兴的研究领域,拓扑优化设计由于能在结构设计初期的概念设计阶段给出结构中材料的最优分布,获得最优设计,因此具有更大的优化效益,目前成为优化领域中研究的热点问题。本文在收集国内外研究资料基础之上,对拓扑优...
马涛
关键词：拓扑优化应力约束可靠性
文献传递
一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法
本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，制备过程包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，淀积或热生长一层牺牲氧化层，淀积氮化硅填充整个槽结构，其中氮化硅与MESA区硅层通过上述牺牲氧隔离开；刻蚀氮化硅后使槽内...
乔明马涛王正康张波
SSL VPN网关产品的设计与实现
随着Internet和电子商务的蓬勃发展，商业活动范围不断扩大，企业与其分支机构实现互联的要求越来越迫切，有时甚至需要允许合作伙伴、设备供应商等外部机构访问自己的部分局域网资源。这种新的商业模式，为虚拟专用网络(VPN，...
马涛
关键词：虚拟专用网络
文献传递
电力综合数据网模拟仿真系统设计与实现
电力综合数据网作为承载电网所有信息服务的数据网络，同一般的电信网络相比，对网络的安全性、稳定性和可靠性有着更高的要求。而随着综合数据网业务的不断增加和功能的持续扩展，将所有信息业务承载在统一的网络上，势必导致对网络结构的...
马涛
关键词：模块化设计多线程处理
基于COMSOL平台的连续体结构的拓扑优化方法研究
作为结构设计中一门新兴的研究领域，拓扑优化设计由于能在结构设计初期的概念设计阶段给出结构中材料的最优分布，获得最优设计，因此具有更大的优化效益，目前成为优化领域中研究的热点问题。本文在收集国内外研究资料基础之上，对拓扑优...
马涛
关键词：拓扑优化惩罚函数应力约束
文献传递
一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法
本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，控制栅制备包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，热生长牺牲氧并淀积氮化硅，其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开；淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面，使用MA...
乔明王正康马涛张波
具有分离栅增强结构的低栅电阻功率MOSFET器件及方法
本发明提供一种具有分离栅增强结构的低栅电阻功率MOSFET器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、槽结构，槽结构中包含控制栅电极与分离栅电极，控制栅电极包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，第三栅电...
乔明马涛董仕达王正康张波
文献传递
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