高矿红
- 作品数：11 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统和测量方法
- 本发明设计了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统和测量方法，可用于精确测量低温强磁场下材料的电学输运相关的性质，如测量磁阻震荡、霍尔效应等。系统主要包括：标准霍尔板样品、低温杜瓦及温控装置、磁体及磁控装置、1号锁相...
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- 一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆
- 本发明公开了一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆，它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座，样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要特征...
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- 光照对AlzGal-zN／GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌
- @@引言： AlXGa1-xN／GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋...
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- 一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆
- 本发明公开了一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆，它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座，样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要特征...
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- HgCdTe薄膜的反局域效应被引量：3
- 2013年
- 利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制.
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- 关键词：自旋-轨道耦合
- 弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究被引量：1
- 2010年
- 研究了低温(1.5K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制.所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.
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- 关键词：双量子阱
- InGaAs量子阱中异常的电子退相
- 电子退相时间描述了微观系统的量子行为转换到经典行为的快慢。它是研究半导体输运行为一个重要参量。对于二维量子阱而言，非弹性的电子-电子相互作用决定了电子的退相过程。这表明电子退相时间对温度和电导的依赖关系可以用费米-液滴理...
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- HgCdTe反型层的磁输运性质被引量：2
- 2012年
- 利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台,证明样品具有较高的质量.测量零场附近的磁阻曲线,在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应,表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用.利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论,很好地拟合了反弱局域曲线.由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大,最大达到9.06 meV根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大,与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.
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- 关键词：二维电子气HGCDTE
- 使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统
- 本发明设计了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统，可用于精确测量低温强磁场下材料的电学输运相关的性质，如测量磁阻震荡、霍尔效应等。系统主要包括：标准霍尔板样品、低温杜瓦及温控装置、磁体及磁控装置、两台锁相放大器、电...
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- 高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子
- 2012年
- 利用化学束外延法制备了高迁移率的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱样品.在样品的低温磁输运测试中,观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass(SdH)振荡和零场自旋分裂引起的拍频.本文提出一种解析的方法,即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱,得到有效g因子的大小.
- 魏来明周远明俞国林高矿红刘新智林铁郭少令戴宁褚君浩Austing David Guy
- 关键词：磁阻
