高翔
- 作品数：19 被引量：11H指数：2
- 供职机构：南京大学物理学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学生物学医药卫生更多>>
- 弹性蛋白力学特性的单分子力谱被引量：2
- 2016年
- 弹性蛋白是一类有着特殊力学特性的蛋白.在生物体内它们是承受和传递力的主要媒介;在生物体外,它们更是被广泛地用作高强度的生物材料.根据其功能不同,弹性蛋白的力学特性也各异.有些具有比较高的力学强度,有些则具有较大的延展性和弹性.科学家们很早就采用多种手段来人工合成弹性蛋白用于材料和纳米领域,但对于弹性蛋白的力学特性和序列结构之间的关系还不甚明晰.本综述介绍通过单分子力谱的实验方法来直接表征单根蛋白质在受力下结构的变化,研究其力学特性.基于Bell模型,推导出了蛋白质解折所需力与拉伸速率之间的关系,揭示了蛋白质力学强度的动力学特性,当拉伸速率较低时,解折叠力将正比于拉伸速率,对于较大的拉伸速率,解折叠力与拉伸速率成指数关系;探讨了决定蛋白质力学特性的结构因素和调控蛋白质力学特性的实验方法;介绍了单分子力谱测量的实验方法,包括基于光镊、磁镊和原子力显微镜的单分子力谱技术,着重介绍了原子力显微镜单分子力谱,并特别介绍了多聚蛋白技术来提供单分子测量的"指纹谱"和提高测量效率;论述了基于原子力显微镜单分子力谱研究蛋白质力学特性的最新进展,包括提高原子力显微镜的稳定性和力分辨率的方法,与荧光标记法相结合来提高实验效率的技术和高速扫描原子力显微镜;阐述了如何通过单分子力谱实验来理性设计蛋白质材料的力学特性,并对未来的研究热点做了展望.
- 周浩天高翔郑鹏秦猛曹毅王炜
- 关键词：单分子力谱原子力显微镜
- 应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究
- 1993年
- 用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。
- 高翔张允强孙娟彭正夫蒋树声章灵军
- 关键词：分子束外延INGAAS/GAAS电镜
- δ掺杂样品中空穴态的新行为
- 1993年
- 用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。
- 章灵军薛舫时张允强彭正夫高翔
- 关键词：Δ掺杂
- 配体结合调控蛋白质力学强度的各向异性
- Force has been increasingly recognized as an important element for the control of a large variety of biologica...
- 高翔孟伟张裔凡吉栋庆秦猛曹毅王炜
- 分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究
- 1993年
- 报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。
- 张允强高翔彭正夫孙娟蒋树声章灵军
- 关键词：分子束外延超晶格
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究被引量：4
- 1992年
- 用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。
- 张允强彭正夫高翔孙娟黄文裕
- 关键词：分子束异质结调制掺杂
- MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料
- 1993年
- 人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm^2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。
- 彭正夫张允强高翔孙娟吴鹏
- 关键词：半导体材料化合物半导体
- Single-molecule studies on hydrophobic hydration
- 高翔秦猛曹毅王炜
- 关键词：疏水作用单分子力谱原子力显微镜
- InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用
- 1994年
- 概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。
- 彭正夫张允强龚朝阳高翔孙娟吴鹏
- 关键词：微波器件INGAAS/GAAS
- 用两种可行的光学方法测量磁致伸缩系数
- 设计了两种磁致伸缩系数的光学测量方法,分别使用了迈克耳逊干涉仪和双光栅法测量了磁致伸缩材料(PrFe)在给定的不同磁场中的微小位移,绘制了磁致伸缩曲线。之后我们比较了两种方法的优点和缺点并进行详细分析。
- 吕新夫高翔周惠君江洪建王思慧
- 关键词：磁致伸缩
- 文献传递
