魏玮
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学经济管理更多>>
- Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响被引量：1
- 2009年
- 采用反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量,研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明,Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能,但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素,较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的,残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加,薄膜中的张应力增大,导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.
- 魏玮刘明曲盛薇张庆瑜
- 关键词：ZNO薄膜缓冲层退火处理
- Ti缓冲层对ZnO薄膜应力和光学性能的影响
- ZnO具有纤锌矿晶体结构,是一种新型的直接带隙宽禁带半导体,其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下获得,较GaN、SiC和其它Ⅱ-Ⅵ族半导体宽禁...
- 魏玮
- 关键词：ZNO薄膜缓冲层退火处理应力分析光致发光
- 文献传递
- 辽河油田人力资源会计研究
- 人力资源作为最主要的生产要素,是创造财富的第一资源,在出让自身人力资本所有权过程中,不仅要实现其再生产价值补偿,还要参与企业盈余价值的分配.劳动者权益的确定是人力资源会计的核心和本质所在,不解决好这一问题就无法激发人力资...
- 魏玮
- 关键词：人力资源人力资源会计
- 文献传递
- 氧分压对磁控溅射ZnO薄膜生长行为和光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示,0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长;当氧分压>0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折射率、光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大,氧分压为0.19Pa时,薄膜的发光峰最窄,其半峰宽为88meV.
- 刘明魏玮曲盛薇谷建峰马春雨张庆瑜
- 关键词：ZNO薄膜反应磁控溅射形貌分析光学特性
