魏贤华
- 作品数：53 被引量：110H指数：6
- 供职机构：西南科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 交互四元体系Li^+,K^+//CO_3^(2-),B_4O_7^(2-)-H_2O298K相关系及平衡液相物化性质的研究被引量：14
- 2002年
- 针对西藏扎布耶盐湖卤水组成,用等温溶解平衡法研究了四元体系Li+,K+//CO32-,B4O72--H2O 298K时的溶解度,测定了该体系的物化性质(密度、粘度、pH值、电导率、折光率)。该四元体系298K时的相图由5条溶解度单变量线、4个结晶区及2个共饱点组成。4个结晶区分别对应于盐Li2CO3、K2CO3 3/2H2O、Li2B4O7 3H2O及K2B4O7 4H2O。2个共饱点中,一个为Li2CO3、K2CO3 3/2H2O及K2B4O7 4H2O三盐共饱点,另一个为Li2CO3、Li2B4O7 3H2O及K2B4O7 4H2O的三盐不相称共饱点。体系属四元水合物相图Ⅰ型,四种原始组份间未形成复盐或固溶体。应用Pitzer电解质溶液理论拟合了Li2CO3、K2CO3、Li2B4O7和K2B4O7的单盐参数及有关的混合离子作用参数,在此基础上计算了该四元体系298K时的溶解度,计算值与实验值基本吻合。
- 曾英肖霞殷辉安唐明林魏贤华
- 关键词：硼酸盐相平衡
- BaTiO_3铁电薄膜在硅基片上的取向生长被引量：7
- 2007年
- 采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。通过原位反射高能电子衍射来监测 MgO,CeO2 缓冲层在硅基片上的生长行为。用 X 射线衍射测定 BTO 薄膜的结晶取向。并利用压电响应力显微镜观察了铁电薄膜的自发极化形成的铁电畴。结果表明:BTO 薄膜在不同的缓冲层硅基片上以不同的取向生长,在织构的 MgO/Si(001)基片上为(001)择优,择优程度与 MgO 织构品质有关,其中在双轴织构 MgO 缓冲层上为(001)单一取向;在 CeO2(111)缓冲层上为(011)单一取向。(001)取向的 BTO 薄膜具有更大的面外极化,而(011)取向的 BTO薄膜具有更大的面内极化。
- 魏贤华黄文接文静朱俊
- 关键词：钛酸钡铁电薄膜缓冲层激光沉积
- 以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法
- 以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法，涉及微电子材料领域，特别涉及铁电薄膜与半导体集成中界面控制和生长取向的薄膜制备方法。采用本发明方法制备的BaTiO<Sub>3</Sub>薄膜能够达到单一取向，表面均...
- 魏贤华李言荣朱俊张鹰
- 文献传递
- Fabrication of （001）-textured BaTiO3 Thin Films on Silicon Substrate
- ＜正＞ MgO ultrathin films were grown on Si（100） substrates as buffer layers for the growth of ferroelectric BaTi...
- 魏贤华
- 关键词：TEXTURERHEED
- 文献传递
- 均相共沉淀法制备纳米ZnO:(Eu,Li)红色荧光粉的光致发光(英文)被引量：8
- 2009年
- 以Zn(NO3)2·2H2O,CO(NH2)2,Eu(NO3)3·6H2O和LiNO3·2H2O为原料,采用均相共沉淀法制备了Eu,Li共掺的纳米ZnO:(Eu,Li)荧光粉。用扫描电镜、X射线衍射、热重–差示扫描量热分析等表征了样品的结构、形貌。研究了Eu与Li的摩尔比和煅烧温度对样品的发光性能的影响。结果表明:合成的ZnO:(Eu,Li)粉体具有六方纤锌矿结构的ZnO晶型,粒度分布均匀,粒径尺寸为20～40nm。当Eu与Li的摩尔比为3:1时,700℃下煅烧2h的样品发光强度最高。在发射光谱中样品的发射峰位于570～620nm,其发射主峰位于611nm处,对应于Eu的5D0→7F2跃迁。
- 胡文远杨定明刘勋魏贤华胡亚敏
- 关键词：纳米粉体光致发光
- 一种关于水盐体系固液平衡相图预测的新方法
- 在相图拓扑性质分析的基础上,依据双K法提出了一种预测水盐体系相图的新方法.这些结果为自然界盐类扩物形成条件研究及盐化工生产提供确切详细的数据,对于卤水盐析分离特别是锂的提取具有实际意义.
- 魏贤华
- 关键词：水盐体系溶解度
- 文献传递
- SrTiO_3同质外延过程中的反射高能电子衍射图案分析被引量：3
- 2005年
- 在激光分子束外延实验中 ,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态 .通过对RHEED图案分析 ,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象 ,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的 ,后者与二维岛边界的弛豫相关 .
- 魏贤华张鹰李金隆邓新武刘兴钊蒋树文朱俊李言荣
- 关键词：RHEED衍射条纹SRTIO3激光分子束外延反射高能电子衍射
- 以PVA为溶剂ZnO薄膜的液相法制备及其机理研究
- 2010年
- 以聚乙稀醇(PVA)水溶液为溶剂,采用液相法制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。采用XRD、Raman以及AFM分析了退火温度与涂层厚度对ZnO薄膜的影响。结果表明,随着退火温度的提高,ZnO薄膜的结晶度及其均方根粗糙度有所提高;同时厚度的增加使得ZnO薄膜的单一取向性减弱。其生长机理可表述为:在每一层涂层中一致或不一致的成核同时产生,通过层内与层间晶粒的聚合、联并,最后形成具有(002)取向的柱状与颗粒状并存的ZnO连续膜。
- 岳美琼魏贤华张磊
- 关键词：PVAZNO薄膜退火温度厚度
- SrTiO_3薄膜的自组装生长被引量：4
- 2004年
- 利用激光分子束外延技术在LaAlO3(100)单晶基片表面生长SrTiO3(STO)薄膜。通过反射式高能电子衍射原位实时监测STO薄膜自组装生长过程,采用原子力显微镜分析自组装生长演化过程,并利用X射线衍射分析薄膜结构及其生长方向。对不同生长条件下薄膜的生长的研究发现:在较低生长温度时,STO薄膜在(200)方向上以三维岛状模式进行生长,小岛在单位原胞尺度呈波浪状周期性排列,即出现自组装生长;而在较高的生长温度时,薄膜以层状模式进行生长自组装行为被抑止。并据此讨论了STO多元氧化物薄膜自组装生长条件及生长机理。
- 李金隆张鹰魏贤华邓新武李言荣
- 关键词：钛酸锶
- 沉积温度对高温超导带材YBiO3缓冲层外延生长的影响被引量：3
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在LaAlO3(001)基片上研究了沉积温度对用作高温超导带材缓冲层YBiO3结晶的影响。结果表明,随着沉积温度的升高,YBiO3缓冲层结晶质量提高,取向趋于完美,表面较为平整。当沉积温度为700℃时,单晶外延的YBiO3与LaAlO3基片的外延关系为:YBiO3(001)//LaAlO3(001)和YBiO3[110]//LaAlO3[100],其晶格失配度为1.3%,平均粗糙度约为3.4nm。
- 岳美琼魏贤华滕元成黄俊俊
- 关键词：沉积温度
