齐龙茵
- 作品数:13 被引量:5H指数:2
- 供职机构:南开大学更多>>
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- 相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
- 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件,在氧分压5.0×10<Sup>-2</Sup>Pa,衬底温度100℃,电子枪电压-8.0kv等条件下,实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂...
- 蔡宏琨齐龙茵赵飞冯凯张晓崔光龙陶科席强张德贤
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- 柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法
- 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法,由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法,其中,200-230℃褪火1-3小时,水温至50-80℃加热,超声波清洗衬底30-60分钟,120- 1...
- 张德贤冯凯齐龙茵赵飞蔡宏琨张晓李胜林
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- 基于柔性衬底太阳能电池的ITO透明导电膜研究
- 本文通过改进设备用电子束蒸发在衬底温度为100℃、氧分压为5×10-2Pa工艺条件下制备ITO薄膜,并使用台阶仪、分光光度计、XRD等测试手段分析了薄膜的结构和性能,所制得ITO膜在膜厚为100nm左右时,电阻率在2.7...
- 赵飞齐龙茵蔡宏昆冯凯李胜林张德贤
- 关键词:柔性衬底太阳能电池电子束蒸发ITO薄膜
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- 柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法
- 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法,它是金属镍层或金属钛层,阻挡层的厚度为30-50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体,在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层...
- 张德贤蔡宏琨冯凯齐龙茵张晓赵飞李胜林
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- 电子束加热蒸发方法与装置及其用途
- 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式,由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压,使之与接地坩埚间形成强电场;另由低压交流电源为灯丝热阴极提...
- 张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科薛颖席强姜元建冯凯齐龙茵赵敬芳王林申孙云
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- P型微晶硅薄膜材料性能的研究被引量:3
- 2006年
- 本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化。采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。
- 蔡宏琨张德贤冯凯齐龙茵王雅欣孙云
- 关键词:太阳电池微晶硅非晶硅
- 柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法
- 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法,它是金属镍层或金属钛层,阻挡层的厚度为30-50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体,在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层...
- 张德贤蔡宏琨冯凯齐龙茵张晓赵飞李胜林
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- 电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
- 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件,在氧分压5.0×10<Sup>-2</Sup>Pa,衬底温度100℃,电子枪电压-8.0kV等条件下,实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂...
- 蔡宏琨齐龙茵赵飞冯凯张晓崔光龙陶科席强张德贤
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- 电子束加热蒸发方法与装置及其用途
- 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式,由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压,使之与接地坩埚间形成强电场;另由低压交流电源为灯丝热阴极提...
- 张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科薛颖席强姜元建冯凯齐龙茵赵敬芳王林申孙云
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- 电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究被引量:2
- 2006年
- 本实验是在低温条件下,采用电子束蒸发制备ITO透明导电薄膜,通过监测电阻来控制薄膜的厚度,通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170 nm和83 nm时透过率和反射率可达95%和6%。
- 齐龙茵张德贤何俊峰崔光龙赵飞刘召军李胜林
- 关键词:ITO增透柔性衬底电子束蒸发