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丁古巧

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇氧化铝模板
  • 5篇纳米
  • 5篇半导体
  • 4篇纳米硅
  • 3篇多孔
  • 3篇半导体材料
  • 2篇等离子增强化...
  • 2篇电解时间
  • 2篇电子浓度
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇多孔氧化铝
  • 2篇多孔氧化铝模...
  • 2篇生物陶瓷
  • 2篇生物陶瓷材料
  • 2篇迁移率
  • 2篇锡粉
  • 2篇量子器件
  • 2篇量子限域效应
  • 2篇磷烷
  • 2篇纳米硅薄膜

机构

  • 10篇上海交通大学

作者

  • 10篇丁古巧
  • 9篇沈文忠
  • 7篇郑茂俊
  • 7篇徐维丽
  • 3篇陈红
  • 2篇马荔
  • 2篇陈新义

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法
一种属于材料制备技术领域的厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法，本发明利用电化学方法对铝片进行第一次电解，然后去除第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝层，通过控制第二次电解的电解电流和电解时间实现多孔氧化铝模板厚度的...
沈文忠丁古巧郑茂俊徐维丽
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氢化纳米硅薄膜的制备方法
一种半导体材料领域的氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄...
沈文忠陈新义丁古巧陈红何宇亮
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多孔阳极氧化铝模板的制备、表征以及在半导体纳米结构材料制备中的应用
阳化法制备多孔阳极氧化铝(Porous Anodic Alumina，PAA)模板已经有近百年的历史，由于其具有独特的纳米结构、耐腐蚀性、透明性以及力学特性，近年来成了研究热点。本文首先详细介绍了PAA模板的研究历史和主...
丁古巧
关键词：多孔阳极氧化铝半导体材料纳米孔阵列
制备大面积、高度有序纳米硅量子点阵列的方法
一种制备大面积、高度有序纳米硅量子点阵列的方法，用于半导体材料制备领域。首先利用电化学方法制备氧化铝模板，然后将这种具有高度有序孔洞结构的模板移植到半导体基片上，利用PECVD将钠米硅自然量子点通过模板的孔道生长在半导体...
沈文忠丁古巧郑茂俊徐维丽
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制备纳米晶SnO<Sub>2</Sub>粉的方法
一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO<Sub>2</Sub>粉的方法，以Al、SnCl<Sub>2</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O、HCl为原料，采用固液氧化还原制备Sn，SnO，SnO<Sub>x</Su...
郑茂俊马荔沈文忠徐维丽丁古巧
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厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法
一种属于材料制备技术领域的厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法，本发明利用电化学方法对铝片进行第一次电解，然后去除第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝层，通过控制第二次电解的电解电流和电解时间实现多孔氧化铝模板厚度的...
沈文忠丁古巧郑茂俊徐维丽
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制备纳米硅量子点阵列的方法
一种制备纳米硅量子点阵列的方法，用于半导体材料制备领域。首先利用电化学方法制备氧化铝模板，然后将这种具有高度有序孔洞结构的模板移植到半导体基片上，利用PECVD将钠米硅自然量子点通过模板的孔道生长在半导体基片上，最后利用...
沈文忠丁古巧郑茂俊徐维丽
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制备纳米晶SnO<Sub>2</Sub>粉的方法
一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO<Sub>2</Sub>粉的方法，以Al、SnCl<Sub>2</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O、HCl为原料，采用固液氧化还原制备Sn，SnO，SnOx混合粉体，然后采用...
郑茂俊马荔沈文忠徐维丽丁古巧
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高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法
一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的...
沈文忠陈新义丁古巧陈红何宇亮
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有序纳米孔氧化铝模板光学常数的测试方法
一种有序纳米孔氧化铝模板光学常数的测试方法，利用二次电化学方法腐蚀高纯铝片生成的各种厚度和纳米孔径的有序纳米孔氧化铝模板，测量有序纳米孔氧化铝模板的透射光谱，通过修正过的四层介质模型拟合透射光谱中的干涉条纹，得出氧化铝模...
沈文忠徐维丽丁古巧陈红郑茂俊
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