丁少锋
- 作品数：11 被引量：123H指数：5
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技攻关计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
- ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是P型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺...
- 陈琨范广涵丁少锋张丽敏
- 关键词：氧化锌薄膜P型掺杂
- 文献传递
- Gd_2O_2SO_4粉体的合成及其晶体结构确定被引量：2
- 2008年
- 通过750℃,2h煅烧Gd2O3和H2SO4(摩尔比1∶1)的前驱体方法合成了Gd2O2SO4粉体。利用Gd2O2SO4的X射线粉末衍射数据和Material Studio4.0 Reflex模块中Powder solve技术和Rietveld精修方法对Gd2O2SO4的晶体结构进行了研究。研究表明:Gd2O2SO4具有空间群为PMNB(62)的正交晶系,晶胞参数为a=1.2996nm,b=0.8117nm,c=0.4184nm,V=0.440698nm3,Z=4,计算密度为6.6949g/cm3,并确定了晶胞中原子的位置,Rietveld精修得到的Rwp=9.15%。
- 连景宝李晓东丁少锋高铁孙旭东
- 关键词：X射线粉末衍射晶体结构RIETVELD精修
- InN材料及器件的最新研究进展被引量：2
- 2007年
- InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
- 丁少锋范广涵李述体郑树文陈琨
- 关键词：INN
- Be_xZn_(1-x)O合金和Mg掺杂Be_xZn_(1-x)O合金特性的理论研究
- 2007年
- 利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能。从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-xO合金的特性。计算结果表明:BexZn1-xO合金非常稳定;晶体结构参数与实验相符,并基本符合Vegard’s law(维加德定律);能带弯曲系数非常大(5.6eV左右);掺入适量的Mg原子不仅可以解决晶格失配问题、增大band off-set(能带偏移),还可以提高BexZn1-xO合金的稳定性;Be原子成为间隙杂质的可能性很小。BexZn1-xO合金可以作为ZnO/MgxZn1-xO超晶格和量子阱的最佳材料。
- 丁少锋范广涵李述体陈琨肖冰
- 关键词：第一性原理
- CdO及Cd_xZn_(1-x)O化合物的结构、能量和电子性能分析被引量：8
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构的基态电子特性和体结构,分析了CdO的稳定性.通过对比纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构CdO的内聚能,发现岩盐结构和纤锌矿结构CdO的稳定性好,闪锌矿结构相对较差;通过对CdxZn1-xO化合物在不同Cd组分下的电子结构计算,得到了较好的禁带宽度拟合结果,能带弯曲参量B=1.02eV;通过形成能与组分关系的分析,我们认为当Cd的组分x=0.4左右时,CdxZn1-xO化合物最不稳定,容易出现相分离现象.
- 孙慧卿丁少锋王雨田邓贝范广涵
- 关键词：CDO纤锌矿结构电子结构密度泛函理论
- 氮化铟p型掺杂的第一性原理研究被引量：22
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
- 丁少锋范广涵李述体肖冰
- 关键词：氮化铟P型掺杂电子结构第一性原理
- Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量：20
- 2007年
- 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
- 张丽敏范广涵丁少锋
- 关键词：ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
- AlN薄膜材料性质及器件的研究进展
- AlN具有优异介电性、压电性,是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN薄膜材料的特性、薄膜制备、器件应用与最新进展。
- 张丽敏范广涵陈琨丁少锋
- 关键词：宽禁带半导体电子元器件
- 文献传递
- N掺杂p-型ZnO的第一性原理计算被引量：40
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO和N掺杂p-型ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂p-型ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子和N2分子对p-型掺杂ZnO的影响.
- 陈琨范广涵章勇丁少锋
- 关键词：密度泛函理论第一性原理
- 氮化铟材料及器件
- InN材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。本文就InN材料的电学、光学特性及其器件的研究应用方面的最新进展做了综述。
- 丁少锋范广涵李述体郑树文
- 文献传递
