于仕辉
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
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- 二氧化锡层对SnO2/Ag/SnO2多层透明导电膜光电性质的影响
- 本文采用射频磁控溅射SnO2靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备了SnO2/Ag/SnO2多层透明导电膜。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、霍尔效应测试和四探针测试法对样品的性能进行了表征。讨论了SnO2层的厚度和空...
- 于仕辉杨晓利陈立张伟风
- 关键词：透明导电膜磁控溅射光电性能
- 文献传递
- 二氧化锡层对SnO2/Ag/SnO2多层透明导电膜光电性质的影响
- 本文采用射频磁控溅射SnO2靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备了SnO2/Ag/SnO2多层透明导电膜。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、霍尔效应测试和四探针测试法对样品的性能进行了表征。讨论了SnO2层的厚度和空...
- 于仕辉杨晓利陈立张伟风
- 关键词：透明导电膜磁控溅射光电性能
- 溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响被引量：3
- 2014年
- 利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备得到高质量的锑掺杂二氧化锡(ATO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ATO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:溅射压强对ATO薄膜的相结构、择优生长取向和结晶质量均有一定的影响。所制薄膜的电阻率随着溅射压强的增加有先减小后增大的规律,并在溅射压强为1 Pa时取得最小值(1.99×10–3?·cm)。不同溅射压强下制备的薄膜在可见光区的透过率均在85%以上。
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- 关键词：溅射压强光学性能电学性能透明导电
- 氧氩比对SnO_2/Ag/SnO_2透明导电膜光电性能的影响被引量：3
- 2012年
- 在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1∶14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω.cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400～800nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1∶14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq.
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- 关键词：透明导电薄膜
- 二氧化锡基透明导电膜的制备及光电性能的研究
- 二氧化锡基透明导电薄膜由于其具有好的光学性质和电学性质以及高的红外反射率已经被广泛应用在太阳能电池，光电器件，平面显示以及气敏元件等领域。和目前广泛应用的ITO薄膜相比，二氧化锡基透明导电薄膜具有价格便宜，热稳定和化学稳...
- 于仕辉
- 关键词：透明导电薄膜光电性质
- 文献传递
- 二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明，在300~600 ℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO（SnO2/ITO）薄膜具有相对好的热学稳定性。在600 ℃退火后，ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3 Ω/□和2.5×10–3 Ω·cm，而此时，SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8 Ω/□和1.2×10–3 Ω·cm。最后，阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。
- 于仕辉丁玲红张伟风
- 关键词：磁控溅射SNO2热稳定性
