于灵敏
- 作品数：86 被引量：112H指数：6
- 供职机构：西安工业大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 控制纳米线生长的研究
- 分别研究了环境压力、气体流量、载气种类、沉积温度和外加电场对硅纳米线及硫化镉晶须生长的影响.获得主要结果如下:1)环境压力为100Torr时,制备出平行排列生长的硅纳米线和硅微米晶须;气体流量为70 SCCM时,制备出既...
- 于灵敏
- 关键词：外加电场硅纳米线
- 文献传递
- 物理热蒸发法制备Ga掺杂ZnO纳米材料的研究
- 2013年
- 采用物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行了分析。结果表明,所生成的产物是具有六方结构的单晶ZnO,其中4%Ga掺杂的ZnO纳米结构呈标枪状,与呈线状、未掺杂的ZnO形貌差异较大。在PL检测中发现Ga掺杂使光致发光绿光峰强度增加,并且4%Ga掺杂时其绿光峰强度最大。在随后的XPS检测中发现Ga掺杂使得ZnO中氧空位缺陷增多,这是PL中绿光峰出现和强度变化的原因。
- 雷曼范新会于灵敏陈建韦建松严文
- 关键词：热蒸发法ZNO纳米材料形貌光致发光
- Zn/Sn热共蒸发制备ZnO/Zn_2SnO_4/SnO_2同轴纳米电缆被引量：1
- 2012年
- 为了研制优质气敏传感器的ZnO系气敏元件,以Zn粉和Sn粉为原料,通过热共蒸发法,在900℃的氧气气氛中,制备了直径为80～150nm的三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)试验对纳米电缆的形貌、组成成分以及微观结构进行了表征.测得该三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆的芯核为SnO2,中间层为Zn2SnO4化合物,外壳层为ZnO,且有铅笔状、三角金字塔状和四棱锥状三种不同纳米形貌.
- 范新会税婧仪于灵敏严文
- 关键词：纳米电缆
- 在外加电场下制备ZnO纳米线被引量：3
- 2006年
- 为了有效控制ZnO纳米线的生长,采用物理热蒸发法在外加电场的条件下制备ZnO纳米线.通过在沉积区引入外电场,制备出了定向生长的ZnO纳米线、纳米梳子及纳米锥.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对ZnO纳米线生长的影响.与没有外加电场的情况相比,ZnO纳米线的生长方式发生了较大的改变,由一点向空间发散生长转变为沿某一方向定向生长,其平均直径约70 nm,长约12μm.结果表明,外加电场能有效控制半导体纳米线的生长,使其生长更具有方向性.
- 张克良范新会于灵敏严文
- 关键词：ZNO纳米线外加电场
- 烧结温度对ZnO纳米线酒敏性能影响的研究被引量：5
- 2007年
- 为初步研究ZnO纳米线的酒敏性能,以纯度为99.9%的Zn粉为原料,采用物理热蒸发法制备出ZnO纳米线,并以其作为气敏基料,羧甲基纤维素为粘结剂,在不同的烧结温度下制备成旁热式气敏元件.运用扫描电镜观察了产物的形貌,采用静态配气法在自制的测试系统上进行了气敏性能的测试.结果表明:随着烧结温度的升高,ZnO纳米线互相联结、长大,使其比表面积迅速减小,进而影响了气敏元件的酒敏性能.根据实验结果,当其烧结温度为500℃时,元件的气敏性能较佳.
- 范新会马雪红于灵敏张克良严文
- 关键词：ZNO纳米线烧结温度气敏性能
- Ni掺杂对ZnO纳米线甲烷气敏性能的影响
- 2007年
- 以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ni掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度为10^-4的甲烷气体进行了气敏性能的测试．结果表明Ni掺杂使ZnO纳米线对甲烷灵敏度提高了182％，响应时间和恢复时间分别缩短了3和2s．Ni的掺杂，在ZnO半导体禁带中引入新的复合中心，形成附加能级，提高了ZnO纳米线对甲烷的灵敏度．
- 林贺范新会于灵敏严文
- 关键词：ZNO纳米线掺杂气敏性能甲烷
- 纳米SnO2、ZnO及ZnO／SnO2复合材料的气敏性能研究
- 2009年
- 以ZnO、S如纳米颗粒及ZnO／SnO2复合纳米材料分别作为气敏基料制成旁热式气敏元件，运用扫描电镜观察产物的形貌，用静态配气法对浓度为100ppm的甲烷气体进行气敏性能的测试。结果表明，这几类元件的最佳工作温度及灵敏度差异较大，当工作温度为350℃时SnO2纳米颗粒的气敏性能最佳。此温度下，SnO2响应时间和恢复时间也比纯ZnO纳米颗粒分别缩短了2S和3S。
- 吴琳琅范新会于灵敏
- 关键词：烧结温度纳米复合材料
- 外加电场对硫化镉晶须生长的影响研究被引量：6
- 2004年
- 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场存在与否 ,沉积温度越高 ,硫化镉晶须越粗越长 ,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响 ;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异 ,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长 ,这可以由带电团簇模型来解释。
- 于灵敏范新会刘春霞严文刘建刚
- 关键词：硫化镉电场晶须生长半导体发光材料
- 一种三维柔性多孔石墨炔网络薄膜及其制备方法
- 本发明属于新型碳材料领域，具体涉及一种三维柔性多孔石墨炔网络薄膜及其制备方法。为克服现有技术存在石墨炔产率较低的问题。本发明采用的方法步骤为：前驱体1,3,5三乙炔基苯的合成；H取代石墨炔薄膜的合成；H取代石墨炔薄膜的分...
- 于灵敏张传涛李森林张宇范新会
- SnO2纳米颗粒对CH4气敏特性的研究被引量：3
- 2009年
- 使用溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米颗粒.通过X射线衍射和扫描电子显微镜手段对材料的晶体结构和表面进行分析,结果表明所得材料为纯SnO2纳米颗粒.以所制备的SnO2纳米颗粒为气敏材料制备电阻式气敏元件,在CH4体积分数为2.5×10-4时,测试SnO2纳米颗粒对CH4气体的气敏特性,包括工作温度-气体灵敏度和响应-恢复特性,结果表明SnO2颗粒在工作温度为350℃时对CH4的最大灵敏度为11,响应-恢复时间分别为5 s和8 s.实验结果表明,该SnO2纳米颗粒气敏传感器对CH4具有快速响应和高灵敏度的特性,在工矿安全运行和环境保护方面具有重要的应用价值.
- 于灵敏朱长纯范新会祁立军吴琳琅严文
- 关键词：溶胶凝胶法气敏特性
