仇志军
- 作品数：9 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象被引量：3
- 2005年
- 在低温 (1 5K— 2 5K)和强磁场 (0— 10T)条件下 ,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN GaN异质结构进行磁输运测量 .在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象 .根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式 ,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的 .
- 姚炜仇志军桂永胜郑泽伟吕捷唐宁沈波褚君浩
- 关键词：氮化镓半导体
- 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
- 2006年
- 通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕仇志军郭少令张福甲褚君浩
- 关键词：拍频
- Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究被引量：4
- 2004年
- 通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0 2 2 Ga0 78N GaN调制掺杂异质结构中 2DEG的子带占据性质和子带输运性质 .在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象 ,并发现 2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系 .得到了该异质结构中第二子带被 2DEG占据的阈值电子浓度为 7 3× 10 1 2 cm- 2 .采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率 .发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降 ,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率 .用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象 .同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1 -xN GaN异质结构中
- 郑泽伟沈波桂永胜仇志军唐宁蒋春萍张荣施毅郑有炓郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气
- HgMnTe磁性二维电子气自旋-轨道和交换相互作用研究被引量：8
- 2004年
- 通过分析不同温度下HgMnTe磁性二维电子气Shubnikov deHass(SdH)振荡的拍频现象 ,研究了量子阱中电子自旋 轨道相互作用和sp d交换相互作用 .结果表明 :(1 )在零磁场下 ,电子的自旋 轨道相互作用导致电子发生零场自旋分裂 ;(2 )在弱磁场下 ,电子的自旋 轨道相互作用占主导地位 ,并受Landau分裂和Zeeman分裂的影响 ,电子的自旋分裂随磁场增加而减小 ;(3)在高磁场下 ,电子的sp d交换相互作用达到饱和 ,电子的自旋分裂主要表现为Zeeman分裂 .实验证明了当电子的Zeeman分裂能量与零场自旋分裂能量相当时 ,通过SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换 (FFT)
- 仇志军桂永胜疏小舟戴宁郭少令禇君浩
- 关键词：电子自旋
- 掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究被引量：1
- 2004年
- 利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 .
- 仇志军桂永胜崔利杰曾一平黄志明疏小舟戴宁郭少令禇君浩
- 关键词：单量子阱输运掺杂电子对
- 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性被引量：5
- 2006年
- 研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.
- 周文政姚炜朱博仇志军郭少令林铁崔利杰桂永胜褚君浩
- 关键词：二维电子气
- 窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡被引量：1
- 2006年
- 通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te/Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.
- 朱博桂永胜仇志军周文政姚炜郭少令褚君浩张福甲
- 关键词：拍频
- HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂被引量：16
- 2004年
- 主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合 ,得到了完全一致的电子Rashba自旋分裂能量 (2 8— 3 6meV)
- 仇志军桂永胜疏小舟戴宁郭少令禇君浩
- 关键词：汞镉碲半导体异质结
- 变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究被引量：5
- 2003年
- 在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系 .结果表明 ,沟道中In组分为 0 6 5的样品 ,材料电学性能最好 ,In组分高于 0 6 5的样品 ,严重的晶格失配将产生位错 ,引起迁移率下降 ,大大影响材料和器件的性能 .
- 仇志军蒋春萍桂永胜疏小舟郭少令褚君浩崔利杰曾一平朱战平王保强
- 关键词：MM-HEMT材料毫米波器件微波电子学
