您的位置： 专家智库 > >

任克飞

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇中频磁控溅射
  • 5篇溅射
  • 5篇溅射制备
  • 5篇ALN薄膜
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 5篇磁控溅射制备
  • 3篇ALN
  • 2篇氮化铝
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇N2
  • 1篇AR
  • 1篇磁性
  • 1篇存储器

机构

  • 6篇武汉大学

作者

  • 6篇任克飞
  • 5篇付德君
  • 4篇邹长伟
  • 4篇阴明利
  • 1篇郭立平
  • 1篇刘传胜
  • 1篇何俊
  • 1篇周霖
  • 1篇李梦
  • 1篇王红军

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇2008年全...
  • 1篇全国第十二届...
  • 1篇2008年全...

年份

  • 3篇2009
  • 3篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜
自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置，并在Si（111）衬底上制备了AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AlN薄膜具有（002）晶向的强衍射...
任克飞阴明利邹长伟付德君
关键词：氮化铝薄膜中频磁控溅射
文献传递
离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜
任克飞
关键词：ALN中频磁控溅射
离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜
自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置，并在Si(111)衬底上制备了 AlN 薄膜。用X 射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN 薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AlN 薄膜具有(002)晶...
任克飞阴明利邹长伟付德君
关键词：中频磁控溅射氮化铝
文献传递
中频磁控溅射制备AlN薄膜被引量：4
2009年
设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在优化的实验条件下制备的AlN薄膜具有较强的(002)衍射峰,其半高宽为612–648弧秒。气体流量、衬底偏压、离子源等对薄膜结构有明显影响。
任克飞阴明利邹长伟付德君
关键词：中频磁控溅射ALN
CdMnS的制备及其铁电铁磁性研究
2009年
用共蒸发的方法制备了六角多晶结构的CdMnS薄膜,研究了薄膜的铁电性和铁磁性。2%Mn浓度的样品的剩余极化强度Pr为1.72μC/cm2,矫顽场强Ec为14.3kV/cm。Au掺杂的CdMnS样品的居里点超过了300K。在10K低温磁滞回线中,得到的剩余磁化强度和磁矫顽力分别为1.39×10-6emu和75.4G;用磁力显微镜清楚地观察到从几个纳米到一百纳米大小不等的磁性团簇,还发现掺杂元素的浓度对其磁性具有明显影响。
王红军何俊李梦周霖任克飞刘传胜郭立平付德君
关键词：铁电性铁磁性存储器
离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜
自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上制备了AIN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AIN薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AIN薄膜具有(002)晶向的强衍射...
任克飞阴明利邹长伟付德君
关键词：中频磁控溅射ALN
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0