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何向军
作品数:
6
被引量:5
H指数:2
供职机构:
清华大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
金属学及工艺
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合作作者
陶琨
清华大学材料科学与工程系
范玉殿
清华大学材料科学与工程系
李恒德
清华大学
江海
清华大学
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显微镜
机构
6篇
清华大学
作者
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何向军
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陶琨
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范玉殿
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李恒德
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材料研究学报
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’94秋季中...
年份
3篇
1996
1篇
1995
2篇
1994
共
6
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金属薄膜与AlN及Al2O3界面的研究
何向军
关键词:
离子束辅助沉积
封装
扩散
IBAD钼膜与Al_2O_3(0001)单晶界面的HREM研究
1995年
采用中等能量离子束辅助沉积(IBAD)技术在单晶Al2O3(0001)基片上沉积钼膜,通过HREM等分析手段,在原子尺度上,对于钼膜及其与Al2O3单晶基体界面的显微结构进行了研究。结果表明:钼膜的晶粒呈细小柱状或纤维状,平均晶粒尺寸约为8nm,钼膜的致密度较高,膜内存在非晶组织。在钼膜与Al2O3单晶基片之间存在厚约10~15nm的非晶过渡层,在界面处未发现原子的长程扩散。非晶过渡层与钼膜界面处存在台阶,增加了钼膜的形核点。
何向军
陶琨
范玉殿
关键词:
离子束辅助沉积
显微结构
氧化物半导体
Al_2O_3陶瓷基片沉积钼膜的织构研究
被引量:2
1994年
采用蒸镀、离子束辅助沉积(IBAD)技术,在Al2O3(单晶、多晶)和玻璃基片上沉积钼膜,通过XRD,TEM等分析手段对于钼膜的织构及其产生机理进行了探讨。结果表明:在单晶和多晶A2O3以及非晶态玻璃基片上蒸镀的钼膜均存在强(110)织构。对于IBAD薄膜,随着氩离子轰击能量的增加,(110)织构向(200)织构转变。膜内应力计算及TEM观察结果证实,钼膜发生了塑性流变,而且塑性流变具有不均匀性。塑性流变的结果使得钼膜产生了(110)织构。
何向军
陶琨
范玉殿
关键词:
织构
离子束辅助沉积
陶瓷基片
氧化铝
金属薄膜与AlN及Al<,2>O<,3>陶瓷界面的研究
采用蒸镀及中能离子束辅助沉积(IBAD)技术,对集成电路重要的陶瓷装材料Al<,2>O<,3>及新型陶瓷高密度封装材料A1N进行薄膜金属化.通过XRD、RBS、TEM(HREM)、XPS及SEM等试验手段,对于热诱导及中...
何向军
关键词:
离子束辅助沉积
封装
扩散
IBAD薄膜与基体界面的显微结构
被引量:3
1996年
采用中能离子束辅助沉积(IBAD)技术,在单晶Al2O3(0001)基片上沉积Mo膜,在GaAS(001)基片12合成Fe16N2薄膜用HREM等研究了Mo膜-Al2O3(0001)、Fe16N2膜-GaAs(001)界面的显微结构结果表明:Mo膜的晶粒呈细小性状或纤维状,晶粒平均尺寸约8nm,Fe16N2薄膜为等轴晶,晶粒平均尺寸约为10nm,在Mo膜-Al2O3(0001)界面及Fe16N2薄膜-GaAs(001)界面处存在厚10~15nm的由基片原子及膜层原子组成的非晶过渡层在过渡层与薄膜界面处存在台阶,增加了薄膜的形核点,薄膜的致密度较高。
陶琨
何向军
江海
范玉殿
李恒德
关键词:
离子束辅助沉积
显微结构
离子束辅助沉积薄膜与基片界面的高分辨电镜观察
陶琨
何向军
关键词:
离子束
电子显微镜
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