何玉娟
- 作品数：44 被引量：69H指数：5
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法
- 本发明公开了一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法，首先通过分析MCM/HIC电路，确定MCM/HIC电路中的辐照敏感元器件，然后在MCM/HIC电路工作状态下，使用辐照夹具针对一个或多个敏感元器件进行...
- 罗宏伟何玉娟恩云飞师谦肖庆中
- 文献传递
- 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究被引量：1
- 2018年
- 基于^(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.
- 彭超恩云飞李斌雷志锋张战刚何玉娟黄云
- 关键词：绝缘体上硅总剂量效应寄生效应
- MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
- 本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要分析了它们实现分离电荷的原理,以及各种方法的优点和局限性。
- 何玉娟李斌师谦罗宏伟林丽
- 关键词：界面态辐照效应
- 文献传递
- 硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响
- 本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响，结果发现硅膜厚度越大，ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。
- 何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中
- 关键词：静电保护
- 单粒子瞬态脉冲宽度展宽方法与电路
- 本发明提供一种单粒子瞬态脉冲宽度展宽方法与电路，首先分离单粒子瞬态脉冲信号为脉冲起始信号和脉冲结束信号，之后对所述脉冲结束信号进行相位延时处理，最后合并所述脉冲起始信号和相位延时处理后的所述脉冲结束信号。本发明单粒子瞬态...
- 刘远刘健波恩云飞黄云雷志峰何玉娟王晓晗
- 文献传递
- DC-DC电源模块X射线总剂量辐射效应研究
- 采用10keVX射线对工作状态下的DC-DC电源模块进行总剂量辐射；并在线监测DC-DC电源模块X射线总剂量辐射中的输入与输出端口电压电流变化情况；最后，对总剂量辐照失效的DC-DC电源模块进行失效分析。结果表明，DC-...
- 何玉娟恩云飞罗宏伟师谦
- 关键词：DC-DC电源模块电磁辐射动态监测
- SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究被引量：6
- 2006年
- 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。
- 何玉娟师谦李斌林丽张正选
- 关键词：X射线总剂量辐射效应绝缘体上硅注氧隔离
- 基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究被引量：2
- 2019年
- 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能.
- 彭超雷志锋张战刚何玉娟黄云恩云飞
- 关键词：绝缘体上硅总剂量效应
- 重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析
- 2022年
- 研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用^(209)B(i离子能量为1043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×10^(7) ion/cm^(2)总注量的重离子辐射试验,并在辐射过程中进行VRDB试验。试验结果发现,经过^(209)Bi重离子辐射后,超薄栅CMOS电容的泄漏电流略微增大,跨导-电压曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅氧化层的斜坡击穿电压减小近5%。通过扫描电子显微镜(SEM)检查发现,重离子辐照后栅氧化层中形成微泄漏路径,导致其击穿电压降低,并强烈影响超薄栅氧化层的长期可靠性。
- 何玉娟何玉娟雷志锋张战刚章晓文
- 关键词：超薄栅氧化层
- 超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究被引量：3
- 2009年
- 在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。文章研究的SOINMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的工艺有关。另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于阈值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响。这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOIMOS器件的抗超高总剂量辐射性能。
- 洪根深肖志强高向东何玉娟徐静陈正才
- 关键词：SOI总剂量辐射
