冀亚欣
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家磁约束核聚变能发展研究专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- CIGS电池、靶材及单靶溅射工艺研究进展
- 2016年
- 综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响。
- 王丹余洲冀亚欣闫勇欧玉峰晏传鹏刘连张勇赵勇
- 关键词：粉末冶金光电性能
- 溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响被引量：4
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。
- 张艳霞冀亚欣欧玉峰闫勇李莎莎刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：直流磁控溅射电性能
- In2S3薄膜的磁控溅射法制备及性能研究
- In2S3属于Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体，因其优良的光学性能、电学性能和光电性能，使其在光催化、光电材料、稀磁半导体、光传感器等不同领域都具有良好的应用前景。目前，利用化学法制备的In2S3薄膜普遍存在结晶质量差、成分偏离化学...
- 冀亚欣
- 关键词：磁控溅射法相结构性能评价
- 文献传递
- 溅射功率对In_2S_3薄膜结构及其性能的影响
- 2016年
- 采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In_2S_3薄膜。研究了溅射功率对In_2S_3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:所制备的所有薄膜均为β-In_2S_3,无杂相存在,且具有(222)面择优生长特性。溅射功率对薄膜的成分、厚度和结晶度具有明显的影响,并因此影响薄膜的光学和电学性能。薄膜在100W沉积时最接近化学计量比,薄膜的透过率随着溅射功率增大在500nm波段附近显著提高,禁带宽度达到2.45eV,同时电流密度增大两个数量级。
- 冀亚欣王丹张林基闫勇欧玉峰余洲刘连阚香张勇赵勇
- 关键词：磁控溅射溅射功率透过率
