冯丽萍
- 作品数：72 被引量：109H指数：5
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金中国航空科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种高性能水系电池用铋基负极及制备方法
- 本发明涉及一种高性能水系电池用铋基负极及制备方法，采用碳布作为力学支撑体，将碳纳米管分散液和黄原胶凝胶混合得到凝胶状物质涂覆在碳布上，高温碳化处理得到多孔导电碳；以BiI<Sub>3</Sub>粉末为生长源，多孔导电碳为...
- 冯丽萍刘鹏飞何炅劼刘思维贾凌锋李泽天
- 一种红外透明导电薄膜及其制备方法
- 一种红外透明导电薄膜及其制备方法，在蓝宝石试样的SiO<Sub>2</Sub>增透薄膜上或者蓝宝石表面覆盖一层厚度为20～30nm，周期为500～700μm，线宽为2.0～4.0μm的Au网栅薄膜，并通过涂光刻胶、前烘、...
- 冯丽萍刘正堂王印权
- 文献传递
- SiO_2薄膜对蓝宝石表面及高温强度的改善被引量：7
- 2006年
- 蓝宝石具有一系列优异的光学和力学性能,使其成为红外透过窗口与头罩中备受青睐的材料．然而随温度的升高蓝宝石沿c轴的抗压强度急剧降低,大大限制了蓝宝石的抗热震等许多性能．提高蓝宝石高温强度的研究已成为蓝宝石在高速、高温应用中一个亟待解决的重要课题．本文采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石衬底上制备了SiO2涂层．利用三点弯曲法测试了镀膜及未镀膜蓝宝石试样的室温及高温抗弯强度,测量了镀膜前后蓝宝石试样的表面形貌及粗糙度,采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面残余应力．结果表明,镀SiO2薄膜可以改善蓝宝石的表面形貌,降低表面粗糙度,同时改变蓝宝石的表面应力．在800℃,镀膜蓝宝石的抗弯强度是未镀膜蓝宝石的1．5倍．
- 冯丽萍刘正堂
- 关键词：蓝宝石SIO2薄膜表面形貌高温强度
- 立方晶相HfO_2电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：9
- 2008年
- 利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了立方晶相二氧化铪(c-HfO2)的电子结构,得到了c-HfO2的总态密度、分波态密度和能带结构。经带隙校正后,计算了c-HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、反射率、复折射率以及光学吸收系数,并从理论上给出了c-HfO2材料光学性质与电子结构的关系。经比较发现,对c-HfO2的电子结构和光学性质的计算结果与已有的实验数据和其它理论研究吻合得较好,从而为c-HfO2光电材料的设计与应用提供了理论依据。同时,计算结果也表明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算和预测c-HfO材料的电子结构和光学性质是比较可靠的。
- 冯丽萍刘正堂许冰
- 关键词：光学性质电子结构第一性原理
- 四方晶相HfO_2在(100)和(001)方向上光学特性的理论计算
- 2009年
- 文章采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了四方晶相HfO2的电子结构。经带隙校正后,计算了四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、吸收光谱以及反射光谱。计算结果表明四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性,并且具有从紫外到红外的透明区域。文中计算结果与其它文献报道的计算结果及实验值都吻合较好,由此说明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算HfO2材料的光学特性是可信的。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：电子结构光学特性
- 一种高效率肖特基结光催化剂BiOBr/C及制备方法
- 本发明涉及一种高效率肖特基结光催化剂BiOBr/C及制备方法，利用CVD方法，采用自行搭建的石英管式炉，在亲水型碳纤维表面生长二维层状BiOBr纳米片，从而制备一种高效率肖特基结光催化剂BiOBr/C。这种方法制备的Bi...
- 冯丽萍郑孝奇刘鹏飞张晓东梁胤翠陈扬余耀辰
- 一种p型导电薄膜Ta<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1‑x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法
- 本发明涉及一种p型导电薄膜Ta<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1‑x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法，在MoS<Sub>2</Sub>中掺入Ta元素，Ta的掺入量x为0.2～0.4。Ta掺入MoS<...
- 冯丽萍李大鹏杜志楠张晓东张兴元刘正堂
- 文献传递
- 闪锌矿型CdS电子结构和光学性质的第一性原理计算
- 2010年
- 本文采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdS的能带结构、态密度和光学性质。分析了闪锌矿型CdS的复介电常数、复折射率、吸收系数、反射率,计算结果与其他文献结果吻合较好,为闪锌矿型CdS的应用提供了理论依据。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：光学性质第一性原理态密度
- 新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究被引量：3
- 2008年
- 为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5nm。I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5V)和1.5×10-6A/cm2(–1.5V)。研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料。
- 冯丽萍刘正堂田浩
- 关键词：高K栅介质
- 蓝宝石衬底上SiO/_2薄膜的制备工艺与性能研究
- 蓝宝石所具有的一系列优异性能，决定了它是目前作为中波红外窗口与头罩的最有前途的材料。但是，限于目前的材料制备和加工技术水平，蓝宝石的高温强度大幅度下降，红外透过率也满足不了设计使用要求。因此在蓝宝石表面镀制增透保护涂层就...
- 冯丽萍
- 关键词：蓝宝石膜系设计磁控溅射
- 文献传递
