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冯淦

作品数：16 被引量：27H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 11篇GAN
  • 8篇氮化镓
  • 7篇半导体
  • 5篇半导体材料
  • 5篇MOVPE
  • 4篇气相外延
  • 4篇金属有机物
  • 3篇立方相GAN
  • 2篇氢化物气相外...
  • 2篇立方相
  • 2篇结构特征
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇金属有机物气...
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀技术
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇干法刻蚀技术

机构

  • 16篇中国科学院
  • 1篇四川大学

作者

  • 16篇冯淦
  • 14篇杨辉
  • 10篇张宝顺
  • 9篇沈晓明
  • 6篇梁骏吾
  • 6篇冯志宏
  • 6篇赵德刚
  • 5篇张泽洪
  • 5篇孙元平
  • 5篇朱建军
  • 4篇王玉田
  • 3篇郑新和
  • 3篇付羿
  • 2篇段俐宏
  • 2篇王俊
  • 2篇陈俊
  • 1篇张书明
  • 1篇贾全杰
  • 1篇刘建平
  • 1篇沈晓民

传媒

  • 6篇Journa...
  • 2篇中国科学（G...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇核技术
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 5篇2003
  • 7篇2002
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
2002年
采用同步辐射X光衍射技术研究了α -Al2 O3(0 0 0 1)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0 0 0 1)晶面与窗口区的GaN(0 0 0 1)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半 ,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时 。
冯淦郑新和王玉田杨辉梁骏吾郑文莉贾全杰
关键词：GAN晶粒度结构特征半导体材料
Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长被引量：8
2004年
采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所受张应力与 Al N插入层厚度的变化关系 .当 Al N厚度在 7～ 1 3nm范围内 ,Ga N所受张应力最小 ,甚至变为压应力 .因此 ,Ga N微裂得以消除 .同时研究了 Al N插入层对 Ga N晶体质量的影响 ,结果表明 ,许多性能相比于没有 Al N插入层的 Ga
张宝顺伍墨陈俊沈晓明冯淦刘建平史永生段丽宏朱建军杨辉梁骏吾
关键词：GAN应力MOVPE
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量：1
2002年
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾
关键词：GAN半导体材料
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2
2003年
在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
关键词：GANPT肖特基接触退火MOVPE
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量：4
2002年
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .
沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉
关键词：立方相GANSEMTEM扫描电子显微镜透射电子显微镜
GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文)
2002年
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、KOH水溶液以及熔融KOH ,腐蚀温度为 90～ 30 0℃ .实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑 .KOH溶液腐蚀出长方形的坑 ,长边平行于 (111)A面 ,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同 .用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性 .此外 ,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错 .
沈晓明冯志宏冯淦付羿张宝顺孙元平张泽洪杨辉
关键词：砷化镓MOVPE湿法腐蚀金属有机物气相外延
氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅...
冯淦杨辉梁骏吾
文献传递
横向外延GaN的结构特征
运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,...
冯淦朱建军赵德刚杨辉梁骏吾吴巨
关键词：结构特征半导体材料氮化镓
文献传递
GaN基MSM结构紫外光探测器被引量：6
2003年
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器。测量了该紫外光探测器的唁电流和360nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线。该紫外光探测器在5V偏压时暗电流为1.03 nA,在10V偏压时暗电流为15.3nA。在15V偏压下该紫外光探测器在366nm波长处的响应度达到0.166 A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边。从0～15V,该紫外光探测器在360nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大。详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系。
王俊赵德刚刘宗顺冯淦朱建军沈晓民张宝顺杨辉
关键词：GANMSM结构紫外光探测器响应度氮化镓晶体生长
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
2002年
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .
沈晓明张秀兰孙元平赵德刚冯淦张宝顺张泽洪冯志宏杨辉
关键词：MOVPE金属有机物气相外延立方相氮化镓
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