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刘克岳

作品数：9 被引量：17H指数：2
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 6篇晶体
  • 5篇红外
  • 4篇碲镉汞
  • 3篇晶体生长
  • 3篇HGCDTE
  • 2篇大直径
  • 2篇探测器
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇碲镉汞晶体
  • 2篇均匀性
  • 2篇红外光
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 1篇区熔
  • 1篇碲锌镉晶体
  • 1篇温度关系
  • 1篇膜材料
  • 1篇近红外
  • 1篇近红外光
  • 1篇近红外光谱

机构

  • 8篇华北光电技术...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 9篇刘克岳
  • 8篇王金义
  • 3篇郎维和
  • 2篇张学仁
  • 2篇赵宏
  • 2篇赵振香
  • 1篇常米
  • 1篇吴人齐

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇红外与激光技...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
2001年
本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径4 0mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果 (在S≈ 12cm2 的晶片面积上 ,x =0 .2 18±0 .0 0 3)。
刘克岳王金义吴人齐
关键词：均匀性晶体结构半导体材料
双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），详细阐述了该方法的生长机理和生长过程：分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素（生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等）：总结了该方法晶体生长的优点，并提出了晶体生...
王金义刘克岳
关键词：碲镉汞
双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体
该文介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），详细阐述了该方法的生长机理和生长过程：分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素（生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等）：总结了该方法晶体生长的优点，并提出了晶...
刘克岳王金义
关键词：碲镉汞晶体晶体生长
HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制被引量：9
2000年
阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。
刘克岳王金义张学仁赵宏张健平
关键词：CDZNTE红外探测器
外延衬底用CdZnTe晶体进展被引量：4
1997年
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
刘克岳王金义郎维和
关键词：晶体生长碲锌镉
MCT晶体退火压力─温度关系及其分析
1997年
采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。
刘克岳赵振香王金义郎维和
关键词：碲镉汞晶体退火红外光学材料
Cd_(1-y)Zn_yTe晶体组分及均匀性的近红外光谱测试被引量：2
2000年
阐述了Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体组分、组分均匀性测试的重要性及开展近红外光谱研究该晶体组分的必要性。采用日立３４０型光谱仪对ｙ在 ０～０．０６的Ｃｄ（１－ｙ） ＺｎｙＴｅ晶体作了室温近红外透射光谱研究，得出了有关晶体组分ｙ和截止波长λｃｏ的关系方程：ｙ＝２８６．０８７ ８ × １０－２－０．３３７ ２× １０－２λｃｏ，测试误差△ｙ≤０．００３，通过该研究，为焦平面外延衬底材料Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体组分及其均匀性测试提供了一种准确、快速、简便、不破坏样品的检测方法。
刘克岳王金义杨立华吴人齐
关键词：近红外光谱碲锌镉晶体
有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究
1995年
本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。
陈记安刘克岳李贤春赵振香
关键词：HGCDTE红外探测器
Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究被引量：2
1996年
采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素；提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通过该研究，优化了生长条件，采取了适当的温度分布（窄的高温区、大的温度梯度）和降低液区高度等有效措施，获得了φ２０、轴向组分波动小（长波段可利用率高达７０％）、径向组分均匀（△ｘ＝±０．００１５）的ＭＣＴ晶体，并利用此材料作出了一系列性能良好的多元光导、光伏红外探测器件。
刘克岳郎维和王金义张学仁李美荣常米赵宏
关键词：HGCDTE晶体生长红外材料
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