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刘彦平
作品数:
1
被引量:13
H指数:1
供职机构:
兰州大学物理科学与技术学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
方泽波
兰州大学物理科学与技术学院
徐大印
兰州大学物理科学与技术学院
何志巍
兰州大学物理科学与技术学院
王印月
兰州大学物理科学与技术学院
刘雪芹
兰州大学物理科学与技术学院
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作者
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刘雪芹
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何志巍
1篇
徐大印
1篇
刘彦平
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方泽波
传媒
1篇
物理学报
年份
1篇
2004
共
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多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为
被引量:13
2004年
在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC :Tb薄膜 .对样品在N2 中进行了不同温度的退火处理 .用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构 .用荧光光谱仪测试了样品的光致发光 ,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰 .发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化 ,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象 .分析了产生这种现象的机理 ,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的 。
徐大印
刘彦平
何志巍
方泽波
刘雪芹
王印月
关键词:
碳化硅薄膜
射频溅射法
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