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刘征

作品数:27 被引量:37H指数:4
供职机构:国防科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 18篇电路
  • 6篇电路模拟
  • 5篇差分
  • 4篇单粒子
  • 4篇整体性能
  • 4篇脉冲
  • 4篇寄存器
  • 4篇反相器
  • 4篇SET
  • 4篇传输门
  • 3篇信号
  • 3篇压控
  • 3篇压控振荡器
  • 3篇振荡器
  • 3篇晶体管
  • 3篇SRAM单元
  • 2篇单粒子翻转
  • 2篇单粒子效应
  • 2篇单元电路
  • 2篇电流源

机构

  • 27篇国防科学技术...

作者

  • 27篇刘征
  • 18篇赵振宇
  • 17篇李少青
  • 16篇陈吉华
  • 15篇马剑武
  • 15篇张民选
  • 15篇陈怒兴
  • 13篇何小威
  • 11篇王建军
  • 10篇欧阳干
  • 8篇王东林
  • 8篇梁斌
  • 8篇邹金安
  • 8篇唐世民
  • 7篇吴宏
  • 7篇徐炜遐
  • 6篇王洪海
  • 6篇陈书明
  • 5篇雷建武
  • 5篇郑东裕

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇计算机工程与...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇第十二届计算...
  • 1篇第十届计算机...

年份

  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 7篇2008
  • 5篇2007
  • 2篇2006
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
采用半速时钟的全速率伪随机序列生成器
本发明公开了一种采用半速时钟的全速率伪随机序列生成器,它包括:低速伪随机信号产生单元,包括第一低速伪随机信号生成器和第二低速伪随机信号生成器,第一低速伪随机信号生成器和第二低速伪随机信号生成器分别由N个带置位功能的移位寄...
李少青欧阳干张民选陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武徐炜遐吴宏邹金安何小威刘征王建军高绍全郑东裕
文献传递
SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟方法研究
本文在理论推导的基础上引入了描述单粒子效应的经典双指数模型,并以这个为原形利用器件数值模拟的数据进行数值拟合确定了模型参数,然后将此模型带入电路级模拟软件Hspice中进行了SRAM存储单元电路单粒子翻转的模拟,最后分别...
刘征孙永节李少青
关键词:单粒子翻转电路模拟
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用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元
本发明公开了一种用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元,其中第一NMOS管M1和第二NMOS管M2组成差分对管,其栅极分别接差分输入IN+和IN-,交叉耦合的MOS管M3和M4漏极分别接差分输出OUT-和OUT+,栅极分别...
陈吉华唐世民张民选李少青赵振宇陈怒兴马剑武何小威吴宏欧阳干王建军刘征陈亮王东林王洪海
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PLL中消除电流过冲的电荷泵电路
本发明公开了一种PLL中消除电流过冲的电荷泵电路,它包括上拉开关管P2、下拉开关管N2、上拉电流管P1、下拉电流管N1、非信号上拉开关管P3、非信号下拉开关管N3、上拉电容MP0、下拉电容MN0以及电压跟随器,所述电压跟...
陈怒兴何小威张民选李少青陈吉华赵振宇马剑武徐炜遐吴宏陈亮刘征王建军高绍全雷建武郑东裕
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可进行信号摆率修正的低电压差分驱动电路
本发明公开了一种可进行信号摆率修正的低电压差分信号驱动电路,它包括由第五晶体管M7和第六晶体管M8组成的镜像电流源、由第一CMOS晶体管M1和第二CMOS晶体管M2组成的控制单元以及互补电流开关单元,所述互补电流开关单元...
杨学军王建军李少青张民选陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武邹金安何小威欧阳干王洪海刘征唐世民王东林
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多读端口寄存器文件级驱动位单元电路
本发明公开了一种多读端口寄存器文件级驱动位单元电路,它包括由PMOS管P1,P2和NMOS管N1,N2,N3构成三态存储体核心单元、读端口单元、写端口单元以及反相器链,所述写端口单元与存储体核心单元相连,所述反相器链包括...
张民选贺鹏李少青陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武徐炜遐乐大珩孙岩刘婷董兰飞唐世民何小威刘征
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锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究被引量:2
2011年
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差最小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差也是增大的。
秦军瑞陈吉华赵振宇梁斌刘征
关键词:压控振荡器混合模拟
脉冲合成方式的占空比可调N次分频电路
本发明公开了一种脉冲合成方式的占空比可调N次分频电路,它包括:脉冲时钟产生单元由N个动态型锁存器构造的移位寄存器级联而成,其中N为输入时钟的分频比,奇数级移位寄存器与偶数级移位寄存器的控制时钟反接,最后一级移位寄存器的输...
陈吉华欧阳干李少青张民选赵振宇陈怒兴马剑武徐炜遐吴宏何小威刘征王建军邹金安雷建武郑东裕
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纳米集成电路单粒子效应的电荷收集及其若干影响因素研究
近年来航天事业的迅猛发展对抗辐照高性能的集成电路提出了新的更高的要求,而辐照引发的单粒子效应已经成为制约空间用电子元器件可靠性的关键问题之一。随着主流工艺进入纳米尺寸时代,集成电路对单粒子效应的敏感度急剧增加。众所周知当...
刘征
关键词:电荷收集单粒子效应
文献传递网络资源链接
带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路
本发明公开了一种带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路,它的选择性预充电单元包括预充电管M<Sub>p1</Sub>和两个或两个以上的位线选择管M<Sub>ni</Sub>,充电补偿单元包括充电补偿管M<Sub>p2</...
张民选乐大珩李少青陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武王东林高绍全贺鹏董兰飞刘婷喻仁峰雷建武刘征
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共3页<123>
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