运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因.研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著.随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和.模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.
