刘鸿飞
- 作品数：15 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教委资助优秀年轻教师基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Zr（Y）O_2衬底上大面积YBCO薄膜表面组织状态的研究被引量：1
- 1996年
- 使用配备有ＥＤＳ和ＥＣＰ附件的ＳＥＭ、ＡＥＭ和ＳＴＭ研究了在７５０和８００℃的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２衬底上磁控溅射沉积的大面积ＹＢＣＯ超导薄膜的表面组织状态。ＹＢＣＯ薄膜为ｃ轴取向单晶，但衬底温度为８００℃时，膜表面的突出组织多为ＣｕＯ颗粒，小坑较多，表面粗糙；衬底温度为７５０℃时，突出组织多为棒状和多边形１２３结构，很少小坑，表面较平整。对不同衬底温度下膜的生长机制和小坑的形成机制进行了讨论。
- 王瑞坤孙丽虹刘鸿飞王小平杨秉川
- 关键词：形貌超导体YBCO
- 掺杂浓度对p型砷化镓（100）表面隧道谱的影响
- 1995年
- 利用扫描隧道显微镜／扫描隧道谱研究了掺杂浓度对砷化镓（１００）抛光片真实表面电子特性的影响。在针尖样品间距一定时，ｎ型与Ｂ型砷化镓电导隙都随掺杂浓度的降低而显著增大。ｎ型砷化镓的隧道电流／电压特性曲线变化规律与ｐ型的相似但是也存在明显的差异，特别是在正向偏置时掺杂浓度对ｐ型砷化镓隧道电流的影响远比ｎ型的大。隧道谱线形状的差异可以用于定性地区分浅掺杂ｐ－ｎ结ｎ型与ｐ型半导体表面，因此ＳＴＭ／ＳＴＳ有希望成为研究ｐ－ｎ结、超晶格截面和界面特性的重要手段。
- 刘鸿飞杨润怀陈开茅
- 关键词：砷化镓STM半导体掺杂
- p型硅MOS结构Si/SiO_2界面及其附近的深能级与界面态被引量：1
- 1992年
- 用深能级瞬态谱(DLTS)技术系统研究了Si/SiO_2界面附近的深能级和界面态。结果表明,在热氧化形成的Si/SiO_2界面及其附近经常存在一个浓度很高的深能级,它具有若干有趣的特殊性质,例如它的DLTS峰高度强烈地依赖于温度,以及当栅偏压使费密能级与界面处硅价带顶的距离明显小于深能级与价带顶的距离时,仍然可以观测到一个很强的DLTS峰。另外,用最新方法测量的Si/SiO_2界面连续态的空穴俘获截面与温度有关,而与能量位置无明显关系,DLTS测量的界面态能量分布与准静态C-V测量的结果完全不一致。本文提出的Si/SiO_2界面物理模型能合理地解释上述问题。
- 陈开茅武兰青彭清智刘鸿飞
- 关键词：能级界面态MOS系统
- 扫描隧道显微镜重掺硅（111）表面微缺陷研究被引量：1
- 1996年
- 利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约为几个纳米的大面积平整区域与面积虽小但缺陷密度很高而且无规则分布的微区共存．微缺陷密度与晶体完整性、掺杂浓度和抛光条件有关．轻掺锑硅（１１１）表面相对平整，微结构尺寸较大（１００ｎｍ左右）边缘较平滑；重掺锑硅表面微缺陷密度很高，结构复杂，平整度明显降低．表面机械损伤，杂质条纹，过腐蚀等缺陷密度通过优化表面抛光条件可以有效降低或避免．
- 刘鸿飞秦福朱悟新尤重远陈开茅
- 关键词：扫描隧道显微镜
- C_(70)/GaAs异质结的电学性质被引量：2
- 2001年
- 在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t)技术在固体 C70 中观测到两种空穴陷阱 H4(1.15 5 e V)和 H5 (0 .85 6 e V) .E(0 .6 40 e V)和 H3(0 .82 2 e V)的密度均小于 10 1 2 / cm2 ,可以得出结论 :固体 C70 对 Ga
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南刘鸿飞
- 关键词：光电性质砷化镓碳
- 在p型硅MOS结构Si/SiO_2界面区中与金有关的界面态和深能级
- 1993年
- 用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型<111>晶向硅MOS结构Si/SiO_2界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO_2界面缺陷H_(it)(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-H_(it)(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO_2界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分布不是单调地向界面增加,而是在距界面0.37μm处有一个最大值。
- 陈开茅金泗轩武兰青曾树荣刘鸿飞
- 关键词：MOS系统界面态深能级金
- 强化真空工业,发展中国信息产业
- 简要地讨论真空工业在高科技,特别是信息产业发展的关键作用,初步介绍了我国真空行业的现状和发展策略.中国真空学会在三年多的广泛调查研究的基础上提出发展我国真空工业,为信息产业服务的设想,希望以此来使我国庞大的不景气的机械加...
- 刘鸿飞
- 关键词：信息产业
- 文献传递
- 高新科技与航空航天电子学
- 20世纪,航空、航天事业的需求曾极大地推动了计算机,微电子,通讯、新材料等前沿领域的兴起与发展;21世纪,蓬勃发展的高新科技领域必将更好地为人类征服宇宙的必经之路——航空、航天技术提供更的服务与支持.本文简要地介绍当今新...
- 刘鸿飞
- 关键词：纳米电子学航空电子学
- 文献传递
- 在C_(70)固体p-GaAs结构中的甚深深能级
- 2004年
- 发展了恒温电容瞬态数据处理方法 ,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱 (ICTTS) .用ICTTS方法测量分析了C70固体 p GaAs异质结的深能级 ,结果发现在C70 固体中存在两个很深的空穴陷阱 ,H1 和H2 ,它们的能级位置分别为Ev+0 85 6eV和Ev+1 0
- 冉广照陈源陈开茅张晓岚刘鸿飞
- 关键词：能级空穴异质结瞬态
- 扫描隧道显微镜研究GaAs（100）表面微缺陷被引量：1
- 1995年
- 扫描隧道显微镜研究ＧａＡｓ（１００）表面微缺陷陈坚邦，刘鸿飞（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：扫描隧道显微镜，微缺陷，抛光工艺（一）引言随着半导体器件向高速度、高集成度方向迅速发展，微电子技术从微米技术进入到纳米技术，从而对作为衬底的半导体...
- 陈坚邦刘鸿飞
- 关键词：STM微缺陷半导体砷化镓
