卢安栋
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：广西大学计算机与电子信息学院更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计被引量：2
- 2011年
- 提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB～4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。
- 王宁章唐江波秦国宾卢安栋罗婕思
- 关键词：CMOS超宽带低噪声放大器
- 真空低温烧结的SrTiO_3复合功能陶瓷被引量：1
- 2011年
- 选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下。
- 王宁章卢安栋唐江波罗婕思文章
- 关键词：真空烧结烧结助剂
- 一种高增益低功耗CMOS LNA设计被引量：4
- 2011年
- 采用TSMC0.18μmCMOS工艺,利用ADS2008软件仿真,设计了一种高增益的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在晶体管M3的栅源极处并入电容C1,以增加系统抗干扰能力;并在级间引入一并联电感和电容与寄生电容谐振,以提高增益。仿真结果表明,在2.4 GHz工作频率下,该电路的增益大于20 dB,噪声系数小于1 dB,工作电压为1.5 V,功耗小于5 mW,且输入输出阻抗匹配良好。
- 唐江波王宁章卢安栋罗婕思
- 关键词：CMOS低噪声放大器高增益
- 真空低温烧结的钛酸锶复合功能陶瓷
- 钛酸锶复合功能陶瓷的传统制备工艺比较繁琐且制备周期较长，例如，由于粉料的成型需要加入有机粘结剂，所以成型后的需要先排胶，再者就是还原烧结过程一般需要较高的温度(1380-1450℃)和采用N2和H2来制造还原气氛，存在安...
- 卢安栋
- 关键词：真空烧结烧结助剂
- 文献传递
