史伟
- 作品数：37 被引量：89H指数：6
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- 相关领域：理学电子电信化学工程机械工程更多>>
- LUTGS晶体热释电系数和自发极化强度关系的研究
- 1999年
- 对属于铁电体的热释电体从德文希尔热力学理论模型出发，导出了热释电系数和自发极化强度的关系Ｐ／χ＝ＰＳ／Ｃ，测量了ＬＵＴＧＳ晶体的ｐ／χ和ＰＳ／Ｃ分别随温度的变化曲线。发现两曲线有较好的一致性，但仍有差异。结合德文希尔热力学理论模型分析了其原因。指出了该关系对铁电体材料热释电性提高的指导意义。
- 史伟王民孙洵顾庆天卓洪升房昌水
- 关键词：铁电体热释电系数
- 测量聚合物薄膜电光系数的一种简单方法——干涉法
- 2001年
- 报道了一种测量聚合物薄膜电光系数的简单方法。这种方法是用石英晶体的逆压电效应补偿聚合物薄膜电光效应引起的光程变化 ,测量聚合物薄膜电光系数相对于石英晶体压电常数 d1 1 的大小 ,这种方法可以用来测量所有光学薄膜的电光系数。
- 尹鑫史伟房昌水
- 关键词：电光系数干涉法
- 一种利用微生物酶系对啤酒酵母细胞进行破壁裂解的方法
- 本发明涉及一种用微生物酶系对啤酒酵母细胞进行破壁的方法，该方法包括粗酶制剂制备，酵母细胞的预处理和酶解，属于生物技术领域。本发明提供的啤酒酵母破壁方法，操作简单，整个破壁过程所需时间较短，可重复操作，而且生产过程中未添加...
- 刘巍峰史伟朱永涛卢雪梅陈冠军
- 文献传递
- 用热力学理论对热释电晶体TGS的改性研究被引量：1
- 1998年
- 从热力学德文希尔理论出发，指出关系Ｐ／χ＝Ｐｓ／Ｃ可作为提高铁电晶体的热释电材料优值Ｍ（Ｐ／ε）的一条途径，即通过提高其自发极化强度Ｐｓ来提高其材料优值Ｍ（Ｐ／ε），并生长出了用大极性分子尿素改性的ＴＧＳ晶体－ＵＴＧＳ、ＤＵＴＧＳ、ＬＵＴＧＳ和ＤＬＵＴＧＳ．测试结果表明，这些晶体的自发极化强度Ｐｓ和材料优值Ｍ（Ｐ／ε）均比纯ＴＧＳ有显著提高．
- 史伟王民孙洵顾庆天卓洪升房昌水
- 关键词：热释电晶体热力学
- 非线性光学聚合物α弛豫的标度(英文)
- 2000年
- 非线性光学聚合物的介电弛豫行为不再遵从 Deby弛豫行为 .为描述α弛豫标度 ,认为除了弛豫时间和介电弛豫强度 ,两个分别描述低频和高频介电特性的参量 m和 n是必要的 .给出了用 HN函数表示的复介电的表达式 ,并用 HN模型函数模拟确定出了几种非线性聚合物的标度参量 m和 n.
- 史伟潘奇伟顾庆天房昌水P.Choy
- 关键词：非线性光学功能高聚物
- 以SrTiO_3为基电容器瓷料的研究被引量：1
- 1997年
- 通过对以ＳｒＴｉＯ３为基瓷料配方和制造工艺的改进，得到了在－２５℃～８５℃的温度范围内，介电常数ε大于２２００，介电常数的温度稳定性较好的瓷料．
- 史伟张沛霖祝清亮
- 关键词：电容器陶瓷介电常数钛酸锶
- 双掺杂TGS晶体——LUTGS
- 1998年
- 分别在５８～５４℃和４５～３８℃温区生长了完整的ＬＵＴＧＳ单晶。揭示了两种晶体的生长习性。通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量，发现两温区生长的ＬＵＴＧＳ单晶的热释电材料优值Ｍ（Ｐ／ε）无大差异，但都比纯ＴＧＳ有显著提高。
- 史伟王民孙洵房昌水
- 关键词：热释电晶体
- 用于测量表面粗糙度的漫射反射比光纤传感器被引量：7
- 1997年
- 本文介绍了一种用于测量表面粗糙度的漫射反射比光纤传感器，阐述了它的结构、工作原理、实验结果和特点。它能成功地消除待测表面反射率的变化和光源功率不稳定对测量结果的影响。除用于测量表面粗糙度外。
- 王廷津徐建强史伟马裕民
- 关键词：表面粗糙度传感器光纤粗糙度
- 人ZHX2转录因子核心片段及其应用
- 本发明涉及一种人ZHX2转录因子功能片段及其应用，属于基因工程技术领域。人ZHX2转录因子核心片段，它具有如SEQ ID No.1所示核苷酸序列；该核心片段编码的蛋白质具有如SEQ ID No.2所示氨基酸序列；包含有该...
- 马春红史伟栾芳王金金申红玉
- 文献传递
- ZnSe单晶的生长被引量：5
- 2000年
- ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第一只蓝绿光半导体激光器后 ,各国纷纷开展深入研究。目前 ,已经得到在室温下连续工作 40 0h的激光器。但是由于GaAs和ZnSe热膨胀系数和晶格常数的差异引起的缺陷 ,严重影响器件的寿命 ,为了克服这个问题 ,现正研究在ZnSe衬底上进行同质外延生长。这就需要大块的优质单晶 ,因此 ,我们对ZnSe单晶的生长展开了研究。我们采用物理气相输运法 (PVT)和化学气相输运法 (CVT)生长 ,均得到ZnSe单晶。CVT法采用I2 作输运剂 ,生长温度 85 0℃左右 ,温度梯度 2℃ ,晶体由于I2 进入晶相显桔黄色 ,生长面为 ( 1 0 0 )和 ( 1 1 1 )。PVT法生长温度在 1 0 5 0℃左右 ,温度梯度为 2℃ ,晶体只有 ( 1 1 0 )面自然显露 ,由于Zn含量的不同而呈现不同的颜色 ,我们研究了Zn/Se比例对晶体质量及性能的影响。用 30 %NaOH溶液对晶体 ( 1 1 1 )晶片进行腐蚀 ,蚀坑密度低于 2× 1 0 4/cm2 ;采用高分辨X射线衍射仪对 ( 1 0 0 )晶片进行了一系列测试。结果表明我们生长的单晶具有良好的结晶性质 ,无孪?
- 顾庆天魏景谦吕孟凯史伟王继扬房昌水
- 关键词：激光材料
