吴俊
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
- 供职机构：武汉工程大学更多>>
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- 相关领域：理学化学工程环境科学与工程电子电信更多>>
- 氧回旋离子束刻蚀化学气相沉积金刚石膜被引量：2
- 2012年
- 利用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体产生的氧回旋离子束刻蚀了化学气相沉积金刚石膜,研究了工作气压和磁电加热电压对金刚石样品附近的离子温度和密度的影响,并分析了金刚石膜的刻蚀和机械抛光效果。结果表明:当工作气压为0.03Pa,磁电加热电压为200 V时,离子温度和密度最大,分别为7.38eV和23.8×1010cm-3。在此优化条件下刻蚀金刚石膜4h后,其表面粗糙度由刻蚀前的3.525μm降为2.512μm,机械抛光15min后,表面粗糙度降低为0.517μm,即金刚石膜经离子束刻蚀后可显著提高机械抛光效率。
- 吴俊马志斌沈武林
- 关键词：离子温度金刚石膜刻蚀
- N2-取代1,2,3-三唑及其配合物的合成和性质研究
- 本论文的主要工作是设计、合成N2-(2-甲基吡啶基)-1,2,3-三唑以及相应的过渡金属配合物，并研究这些配合物的相关性质。在本论文研究过程中，得到了4种配合物，[Cu2(ptmp)2(CH3CN)]Cl4(1)、[Cu...
- 吴俊
- 关键词：金属配合物扩散法荧光性质
- 圆筒电极对离子磁电加热的影响
- 2013年
- 高效的磁电加热不仅能够提高电子回旋共振(ECR)等离子体的离子温度,还能改善离子的径向和轴向分布,促进ECR等离子体在化学气相沉积金刚石膜刻蚀中的应用.将磁电加热系统中的圆环电极改进为圆筒电极,研究了圆筒电极对离子磁电加热的影响,对比了圆筒和圆环电极加热离子的区别.结果表明:在同一阳极偏压下,圆筒比圆环电极更有利于提高离子温度,圆筒电极加热时各径向位置的离子温度升高的幅度较大,其中圆筒电极内部的离子温度径向分布差异较大,而圆筒下游的离子温度径向分布比较均匀;磁电加热对离子密度的影响很小;采用圆筒电极加热时,有利于离子向轴向下游的输运,改善了离子的轴向均匀性.
- 马志斌沈武林吴俊严垒汪建华
- 关键词：ECR等离子体离子温度
- 回旋离子束与CVD金刚石膜作用机理研究
- CVD金刚石膜由于其优异的物理化学性质而广受关注,但是CVD法制备的金刚石膜表面较为粗糙,引起了一系列的问题,如较强的光的散射,较低的光的透过率等,这些不足严格限制了其应用范围,且其超高硬度,使得刻蚀抛光金刚石膜成为一项...
- 吴俊
- 关键词：金刚石膜气相沉积表面处理
- 文献传递
- ECR等离子体的磁电加热研究被引量：7
- 2011年
- 在ECR等离子体装置上进行了磁电加热研究,利用离子灵敏探针(ISP)测量了磁电加热前后离子温度的变化,研究了电极环偏压、磁场强度、气压等参数对磁电加热过程以及加热效率的影响.结果表明:等离子体的整体加热是通过离子在电极环鞘层中的磁电加热及被加热的离子沿径向的输运来完成的.轴心处离子温度随电极环偏压的升高呈非线性增加.磁电加热效率随偏压的增大而增大,在电极环偏压为1000V时,磁电加热效率为2%—2.5%,ECR等离子体中的离子温度能够提高20eV以上.磁场强度在磁电加热过程中对离子的限制和加热起到重要作用,当磁场强度在6.3×10-2—8.7×10-2T之间变化时,磁电加热的效率随磁场强度的增大而增大.气压在0.02—0.8Pa范围内,磁电加热的效率随气压的减小而增大.
- 沈武林马志斌谭必松吴俊汪建华
- 关键词：ECR等离子体离子温度
- 利用大气压微波射流等离子体技术脱除工业烟气中二氧化硫的方法
- 本发明涉及大气压微波射流等离子体应用技术及含硫的工业烟气处理领域，特别是一种利用大气压微波射流等离子体技术脱除工业锅炉烟气中二氧化硫的方法，大气压微波射流等离子体发生器在大气压下利用微波激励空气放电产生大气压微波射流等离...
- 马志斌吴俊吴利峰孙钢胥明
- 文献传递
- 电极环对离子加热温度的影响
- 2012年
- 在非对称磁镜场微波ECR等离子体中引入了磁电加热系统,研究了电极环大小、轴向位置以及双环加热对离子温度的影响。结果表明,大小合适的电极环能有效提高离子的加热温度,且最优电极环尺寸主要取决于离子回旋半径。电极环轴向位置的选择主要与磁镜场位形有关,将电极环置于磁镜场中部的弱磁场位置时最有利于离子温度的提高。采用双电极环加热能进一步提高离子温度,并且其加热效果是单环加热的两倍。
- 沈武林马志斌谭必松吴俊汪建华
- 关键词：ECR等离子体磁镜场离子温度
- 利用大气压微波射流等离子体技术脱除工业烟气中二氧化硫的方法
- 本发明涉及大气压微波射流等离子体应用技术及含硫的工业烟气处理领域，特别是一种利用大气压微波射流等离子体技术脱除工业锅炉烟气中二氧化硫的方法，大气压微波射流等离子体发生器在大气压下利用微波激励空气放电产生大气压微波射流等离...
- 马志斌吴俊吴利峰孙钢胥明
- ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究被引量：1
- 2013年
- 在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低。实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3Pa和3×10-2Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15 T时,前者的刻蚀效果更强。
- 潘鑫马志斌吴俊
- 关键词：ECR等离子体CVD金刚石膜基片温度工作气压磁场位形
- CVD金刚石中的氮对等离子体刻蚀的影响被引量：4
- 2013年
- 采用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体分别对沉积过程中掺氮和未掺氮的化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀研究,结果表明:掺氮制备的金刚石膜的刻蚀主要集中在晶棱处,经过4h刻蚀后其表面粗糙度由刻蚀前的4.761μm下降至3.701μm,刻蚀对金刚石膜的表面粗糙度的影响较小;而未掺氮制备的金刚石膜的刻蚀表现为晶面的均匀刻蚀,晶粒坍塌,刻蚀4h后其表面粗糙度由刻蚀前的3.061μm下降至1.083μm.刻蚀导致表面粗糙度显著降低.上述差别的主要原因在于金刚石膜沉积过程中掺氮导致氮缺陷在金刚石晶棱处富集,晶棱处电子发射加强,引导离子向晶棱运动并产生刻蚀,从而加剧晶棱的刻蚀.而未掺氮金刚石膜,其缺陷相对较少且分布较均匀,刻蚀时整体呈现为(111)晶面被均匀刻蚀继而晶粒坍塌的现象.
- 吴俊马志斌沈武林严垒潘鑫汪建华
- 关键词：掺氮金刚石膜刻蚀
