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吴锦鹏

作品数：70 被引量：115H指数：5
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国学位与研究生教育学会研究课题更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 20篇电气工程
  • 7篇文化科学
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 25篇半导体
  • 22篇半导体器件
  • 18篇换流
  • 16篇门极
  • 15篇关断
  • 13篇直流
  • 13篇换流器
  • 10篇电路
  • 10篇电压
  • 10篇压接
  • 9篇晶闸管
  • 9篇功率半导体
  • 9篇功率半导体器...
  • 8篇电流
  • 8篇压接式
  • 7篇直流电
  • 5篇导通
  • 5篇电极
  • 5篇芯片
  • 5篇门极换流晶闸...

机构

  • 70篇清华大学
  • 2篇国网山东省电...
  • 2篇国网湖北省电...
  • 1篇国家电网公司
  • 1篇陕西电力科学...
  • 1篇国网四川省电...
  • 1篇北京市昌平区...
  • 1篇四川电力超高...

作者

  • 70篇吴锦鹏
  • 61篇曾嵘
  • 57篇余占清
  • 50篇赵彪
  • 44篇陈政宇
  • 35篇刘佳鹏
  • 33篇屈鲁
  • 7篇张松
  • 6篇庄池杰
  • 6篇杨晨
  • 6篇张龙
  • 5篇张良
  • 4篇张波
  • 4篇何金良
  • 3篇蒋愉宽
  • 2篇张波
  • 2篇刘博涵
  • 2篇崔彬
  • 2篇胡军
  • 2篇李晓钊

传媒

  • 2篇高电压技术
  • 2篇中国电机工程...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇学位与研究生...

年份

  • 1篇2024
  • 31篇2023
  • 21篇2022
  • 8篇2021
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 70 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法
本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和...
吴锦鹏曾嵘任春频刘佳鹏余占清赵彪屈鲁
一种空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法
本发明提供一种空间寿命非均匀分布的半导体器件，阴极下方的少子寿命低于门极下方的少子寿命。本发明的空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法，通过优化稳态载流子分布密度，优化关断瞬态的电场分布，提高单个元胞的关断电流能力，从...
吴锦鹏曾嵘任春频刘佳鹏李晓钊余占清赵彪屈鲁
基于社交媒体的“互联网+”学术交流模式探究--以清华大学“微沙龙”为例
移动互联网技术的兴起，深刻改变着现有的教育教学模式。清华大学在研究生学术交流工作中，结合社交媒体，探索基于移动互联网的“O2O”学术交流新模式——“微沙龙”，实现了对传统学术交流模式的有益补充，使随时随地开展学术交流成为...
张小平刘博涵吴锦鹏赵璞吕东青
关键词：移动互联网O2O
被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统
本公开实施例涉及电力电子器件测试技术领域，公开了被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统，所述方法包括：设定测试电压信号I<Sub>DUT*</Sub>；测量被测器件DUT的电压信号I<Sub>DUT</Sub...
吴锦鹏王鹏刘洋陈政宇刘佳鹏李立生汪涵于海东张良苗青
一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构
本发明适用于换流器领域，提供了一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构，所述缓冲均压电路包括缓冲电路和均压电路，所述缓冲电路和均压电路并联；所述缓冲电路包括与可关断器件并联的电容电阻支路和缓冲支路；所述电容电阻支路...
余占清曾嵘许超群王宗泽张松陈政宇吴锦鹏刘佳鹏赵彪屈鲁任春频庄池杰
半导体器件局部金属电极去除装置及方法
本申请提供一种半导体器件局部金属电极去除装置及方法，该装置包括：承片台，承载半导体器件移动至各缺陷标记位置；导电毛刷，固定在承片台上并与半导体器件的门极电极接触；第一探针，与半导体器件的缺陷电极接触；直流电源阳极与第一探...
曾嵘刘佳鹏吴锦鹏朱艺颖赵彪屈鲁陈政宇余占清
压接型半导体器件
本申请提供一种压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括：芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳；所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳...
刘佳鹏吴锦鹏杨晨黄琦欢曾嵘余占清陈政宇赵彪
接地系统的降阻方法
本发明公开了一种接地系统的降阻方法，根据用户输入的接地电阻值及安全指标，对电阻按照划等级降阻的方式同时或依次进行优化，优化后的电阻值符合安全指标后，得出具体的降阻方式；其具体过程是：用户输入现场勘测的基本条件，并给出接地...
张波吴锦鹏王森李志忠何金良曾嵘陈水明胡军余占清
文献传递
一种换流器全控器件的控制方法、装置、设备和存储介质
本发明提供一种用于换相换流器的全控器件的控制方法和装置、电子设备以及计算机可读存储介质。控制方法包括：控制全控器件关断，其包括：当被换流桥臂上的电流正常过零时，全控器件的驱动板控制全控器件关断；当被换流桥臂上的电流不能正...
余占清曾嵘王宗泽许超群陈政宇任春频吴锦鹏刘佳鹏赵彪
文献传递
功率半导体器件及其制作方法
本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层；所述功率半导体器件包括有源区和终端区；有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述...
曾嵘吴锦鹏任春频刘佳鹏陈政宇余占清屈鲁
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