周宝艳
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广州市科技计划项目福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究被引量：2
- 2013年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2)SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为N型半导体.
- 周宝艳卲庆益
- 关键词：B掺杂单壁碳纳米管电子结构第一性原理
- 硼磷掺杂小直径单壁碳纳米管的第一性原理研究被引量：3
- 2014年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了小直径锯齿形单壁碳纳米管(3,0)的硼(B)、磷(P)单个原子掺杂和B/P共掺杂效应.计算了B、P单原子掺杂的形成能、能带结构和电子态密度,分析得出B、P掺杂(3,0)单壁碳纳米管是可行的,并且碳纳米管的导电性没有发生明显改变.本文还计算了在不同掺杂位点,(3,0)金属性碳纳米管的形成能和能带结构,发现B/P共掺杂也是可行的,B和P趋于形成B/P对,并且B/P的掺入使(3,0)金属性碳纳米管的能带打开,由金属性变成半导体性.
- 罗福生邵庆益周宝艳邵彩茹夏江
- 关键词：单壁碳纳米管掺杂第一性原理形成能
