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唐昱

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 31篇存储器
  • 12篇电路
  • 9篇聚对二甲苯
  • 7篇存储密度
  • 6篇电压
  • 6篇闪存
  • 6篇快闪存储器
  • 6篇集成电路
  • 6篇功耗
  • 6篇编程
  • 4篇低功耗
  • 4篇电极
  • 4篇电子纸
  • 4篇电子纸张
  • 4篇淀积
  • 4篇聚合物膜
  • 4篇技术工艺
  • 4篇沟道
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻工艺

机构

  • 37篇北京大学

作者

  • 37篇唐昱
  • 36篇黄如
  • 27篇蔡一茂
  • 14篇谭胜虎
  • 14篇杨庚雨
  • 13篇张丽杰
  • 11篇潘越
  • 10篇白文亮
  • 10篇唐粕人
  • 9篇黄英龙
  • 9篇秦石强
  • 8篇邝永变
  • 8篇张兴
  • 6篇毛俊
  • 5篇张耀凯
  • 4篇陈诚
  • 4篇高德金
  • 4篇于哲
  • 3篇邹积彬
  • 3篇潘岳

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 17篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法
本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活...
黄如白文亮蔡一茂唐昱张兴
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一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器
本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P...
杨庚雨黄如唐昱邹积彬
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一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
一种快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共...
秦石强黄芊芊唐粕人唐昱黄如蔡一茂杨庚雨
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一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
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一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法
本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用透明的选择管作为驱动管，选择管的双向导通的特性实现了电路对存储单元的重复擦除与写入，并解决了串扰问题。选择管作为存储阵列的驱动管，解决了晶体管占用面积大、二...
黄如白文亮蔡一茂唐昱张兴
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一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如杨庚雨张耀凯陈诚潘越蔡一茂谭胜虎唐昱黄英龙毛俊白文亮
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一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法
本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活...
黄如白文亮蔡一茂唐昱张兴
一种阻变存储器的制备方法
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发...
黄如谭胜虎张丽杰潘岳黄英龙杨庚宇唐昱毛俊蔡一茂
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一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P...
秦石强田明唐粕人唐昱蔡一茂黄如
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