唐莹
- 作品数：11 被引量：32H指数：3
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电力静电感应器件的研制
- 静电感应器件 (Static Induction Device—SID) 是一类新型的电力电子器件，主要包括双极型静电感应晶体管(BSIT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)三类器件，具有其它半导体器...
- 唐莹
- 关键词：静电感应器件版图设计刻蚀工艺
- 静电感应晶闸管的负阻转折特性被引量：1
- 2007年
- 针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.
- 唐莹刘肃李思渊胡冬青常鹏杨涛
- 关键词：SITH少子寿命
- 一种多槽结构静电感应器件及其制备方法
- 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法，涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(V<Sub>GS(K)</Sub>)和伏-安特性(I-V特性)的统一问题，即V<Sub>GS(K)</Sub>过高，I-V特...
- 李海蓉李思渊刘肃唐莹李海霞
- 文献传递
- ZnO纳米线的低温生长及其发光特性(英文)被引量：2
- 2007年
- 采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.
- 常鹏刘肃陈溶波唐莹韩根亮
- 关键词：ZNO电化学纳米线PL谱
- 电场辅助电化学法沉积ZnO纳米线被引量：7
- 2008年
- 采用电场辅助电化学沉积的方法成功的在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列。透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面。我们对生长过程中所加辅助电场的作用给出了初步的解释。
- 常鹏刘肃陈容波唐莹韩根亮
- 关键词：ZNO纳米线电化学沉积PL谱
- 水热法制备硫化锌纳米线及性能研究被引量：15
- 2007年
- 采用水热法成功制备出准一维的硫化锌单晶纳米线。XRD图谱显示,实验制备的硫化锌纳米线是纤锌矿结构,择优c轴即(002)晶面生长。TEM显示硫化锌纳米线长度达几十微米,最大直径约为50nm,有些纳米线的直径在20nm左右。SAED图显示实验得到的是单晶硫化锌纳米线,HRTEM图片中可以明显看到原子晶面排列,测量得出晶面间距为0.313nm,对应于ZnS的(001)晶面。文中研究了硫化锌纳米线的光致发光特性并对发光机制进行了探讨。
- 常鹏刘肃王秀华唐莹
- 关键词：水热法单晶光致发光
- 一种新型结构的静电感应晶体管被引量：1
- 2007年
- 提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.
- 唐莹刘肃李思渊吴蓉常鹏
- 关键词：静电感应晶体管寄生效应
- 碳化硅材料在微电子机械系统中的应用被引量：2
- 2002年
- 碳化硅材料包括单晶碳化硅、多晶碳化硅、无定形碳化硅等,由于其显著的材料特性,如耐热、耐磨、化学惰性和高硬度等,近年来在微电子机械系统(MEMS)领域受到越来越多的关注。应用特定的工艺条件将碳化硅材料制成MEMS器件,可以在某些特殊条件下使用,克服了常规材料本身的局限性,从而为碳化硅材料的应用开发了新的领域。追踪这一国际热点研究问题,针对以上几种不同形态材料,分别举例说明了它们在MEMS领域应用的进展情况。
- 刘肃唐莹李思渊
- 关键词：碳化硅微电子机械系统微结构MEMS
- 静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺
- 本发明为静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺，涉及静电感应器件制造技术。由于反型杂质的高精度补偿工艺复杂，补偿度难于控制，本发明通过在扩磷工序中用三氯氧磷对硅片进行染磷，同时通过对外延工艺条件的控制，采用SiC...
- 李海蓉李思渊刘肃王永顺唐莹李海霞
- 文献传递
- 一种多槽结构静电感应器件及其制备方法
- 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法，涉及半导体领域。现有技术中存在栅－源(阴)极电压(V<Sub>GS(K)</Sub>)和伏－安特性(I－V特性)的统一问题，即V<Sub>GS(K)</Sub>过高，I－V特...
- 李海蓉李思渊刘肃唐莹李海霞
- 文献传递
